[发明专利]设有背面保护膜的半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及在半导体基板的另一面侧设有背面保护膜的半导体装置及其制造方法。

背景技术

已知在日本特开2006-229112号公报中称为CSP(Chip Size Package)的半导体装置。该半导体装置具有半导体基板。在半导体基板上设置的绝缘膜的上表面处设有布线。在布线的焊接区(land)上表面设有柱状的外部连接用电极。在包含布线的绝缘膜的上表面，在外部连接用电极的周围设有由树脂构成的密封膜。在外部连接用电极的上表面设有焊料凸点。在半导体基板的下表面设有由树脂构成的背面保护膜。

在上述日本特开2006-229112号公报中，首先在晶片状态的半导体基板(以下称为半导体晶片)上形成绝缘膜、布线、外部连接用电极及密封膜。接着，对半导体晶片的下表面进行研磨，将半导体晶片的厚度减薄。接着，在半导体晶片的下表面形成背面保护膜。接着，在外部连接用电极的上表面形成焊料凸点。接着，沿着切割道(dicing street)切断密封膜、半导体晶片及背面保护膜，得到多个半导体装置。

另外，虽然在日本特开2006-229112号公报中没有记载，但是在切割中使用的刀由使包含磨粒(abrasive grain)(例如，金刚石的颗粒)的结合剂成形而做成圆盘状的磨石(grindstone)构成，需要根据加工条件选择磨粒的集中度。即，根据磨粒的集中度的不同，切削时施加到刀的各磨粒上的负荷变化，自锐性(self-sharpening)(与伴随着切削的结合剂的磨损相应地，出现新的磨粒)的发生的容易度等变化，根据切削对象，将多余的力施加到切削对象上，在切削对象的切削面上容易产生缺陷(chipping)(缺口)。

因此，不优选以一种刀将由树脂构成的密封膜、半导体晶片及由树脂构成的背面保护膜切断。这里，可以考虑，用树脂切削用的刀来切削由树脂构成的密封膜及半导体晶片的上表面侧，用磨粒的集中度比树脂切削用的刀低的半导体切削用的刀来切削半导体晶片的其余部分及由树脂构成的背面保护膜，从而抑制半导体晶片的切削面的缺陷(缺口)。

但是，若以半导体切削用的刀来切削由树脂构成的背面保护膜，则对该刀逐渐产生由树脂造成的堵塞，若以逐渐产生了由该树脂造成的堵塞的状态下的刀来切削半导体晶片，则会在半导体晶片的切割面产生缺陷(缺口)。为了避免该情况，需要为了使刀的切削能力稳定而进行的、称为预切(precut)的、使用预切基板(被加工物的模型)的试切。但是，若频繁地进行该刀的预切，则会产生该刀的寿命变短等问题。

发明内容

因此，本发明抑制在半导体晶片的切削面处发生的缺陷(缺口)，并且延缓半导体切削用的刀的由树脂造成的堵塞，减少进行预切的频率，从而实现延长半导体切削用的刀的寿命的目的。或者，本发明目的在于，提供一种不使用半导体切削用的刀而能够切断半导体晶片的半导体装置的制造方法以及通过该方法得到的半导体装置。

根据本发明的一种实施方式，其特征在于，具备：半导体基板；密封膜，设置在该半导体基板的一面侧；以及背面保护膜，设置在上述半导体基板的另一面侧的至少除了外缘部以外。

根据本发明的另一实施方式，其特征在于，在半导体晶片的一面侧形成密封膜，并在另一面侧形成背面保护膜；在与切割道对应的部分的上述背面保护膜形成开口部；在与上述切割道对应的部分的至少上述密封膜，通过第1刀形成槽；通过第2刀切割与上述切割道对应的部分的至少上述半导体晶片。

另外，根据本发明的另一实施方式，其特征在于，在半导体晶片的一面侧形成密封膜，并在另一面侧形成背面保护膜；在与切割道对应的部分的上述背面保护膜形成开口部；在与上述切割道对应的部分的至少上述密封膜，通过第1刀形成槽；通过隐形切割，分离与上述切割道对应的部分的至少上述半导体晶片。

附图说明

图1是作为本发明的第1实施方式的半导体装置的平面图。

图2是大致沿图1的II-II线的部分的剖面图。

图3是在图1及图2所示的半导体装置的制造方法的一例中最初准备装置的剖面图。

图4是图3的后续工序的剖面图。

图5是图4的后续工序的剖面图。

图6是图5的后续工序的剖面图。

图7是图6的后续工序的剖面图。

图8是图7的后续工序的剖面图。

图9是图8的后续工序的剖面图。

图10是图9的后续工序的剖面图。

图11是图10的后续工序的剖面图。

图12是图11的后续工序的剖面图。