[发明专利]测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法

摘要

本发明涉及一种测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法，所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、选择电池片一或电池片二，电池片一正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二正面没有栅线，正、负极栅线均在背面，步骤二、制作封装前电池片试样，步骤三、测试封装前电池片试样的光谱响应和反射率曲线，步骤四、制作封装后电池片试样，步骤五、测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线，步骤六、对比封装前、后电池片一试样和电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线，并得出结论。本发明提供了一种简单的测试晶硅组件光谱的方法，将电池片与组件联系起来分析研究问题。

主权项

一种测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法，其特征在于：所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、选择电池片选择电池片一或电池片二，其中电池片一为传统工艺的晶硅电池片，其正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二为非传统工艺的晶硅电池片，其正面没有栅线，正、负极栅线均在背面，步骤二、制作封装前电池片试样在所述电池片一正面负极上焊接或粘接上一根焊带引出负极，电池片一背面不做改变，制作成封装前电池片一试样；或在所述电池片二背面正、负极上分别焊接或粘接上一根焊带引出正、负极，制作成封装前电池片二试样，步骤三、测试封装前电池片试样的光谱响应和反射率曲线测试封装前电池片一试样的光谱响应和反射率曲线时，电池片一试样的正面负极与光谱响应设备的探针相连，背面与光谱响应设备的平台紧密相接；测试封装前电池片二试样的光谱响应和反射率曲线时，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片二试样正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连；另外，在测试时，圈定电池片试样一和电池片试样二上的测试点，以便封装后选取同样的测试点做对比，步骤四、制作封装后电池片试样对于封装前电池片一试样，在其正面依次叠层上EVA和玻璃，焊带露出玻璃，背面不需要EVA和背板，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片一试样；对于封装前电池片二试样，在其正面叠层上EVA和玻璃，两根焊带露出玻璃，背面或依次叠层上EVA和背板，或不依次叠层上EVA和背板，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片二试样，步骤五、测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线时，首先测试点与封装前的要一致；其次，对于封装后电池片一试样，测试时其正面负极与光谱响应设备的探针相连，其背面与光谱响应设备的平台紧密相接；而对于封装后电池片二试样，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连，步骤六、对比封装前、后电池片一试样和电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线，并得出结论。