[发明专利]测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法有效
| 申请号: | 201110279346.6 | 申请日: | 2011-09-20 |
| 公开(公告)号: | CN102360063A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
| 发明(设计)人: | 乔虹桥;郭志球;顾斌峰;刘强;张斌;邢国强 | 申请(专利权)人: | 江阴鑫辉太阳能有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01M11/02 |
| 代理公司: | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人: | 唐纫兰 |
| 地址: | 214426 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 测试 组件 光谱 响应 反射率 方法 | ||
技术领域
本发明涉及测试和制作被测样品的方法,具体指测试经过EVA和玻璃封装后电池片的光谱响应和反射率的方法。
背景技术
太阳能电池能把光能转变为电能,但不同波长的光能转变为电能的比例是不同的,这种性质称为太阳能电池的光谱响应。光谱特性的测量是用一定强度的单色光照射太阳能电池,测量此时电池的短路电流,然后依次改变单色光的波长,再重复测量以得到在各个波长下的短路电流,即反映了电池的光谱特性。目前,在电池片的光谱响应方面有较多的研究,但是组件上并没有这一测试手段和方法,因此从电池片到组件的一些特性研究有些脱节。
发明内容
本发明的目的是针对现有分析电池片到组件光谱特性技术的不足,而提供一种简单的测试晶硅组件光谱的方法,将电池片与组件联系起来分析研究问题。
为了达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种测试晶硅组件即封装后电池片的光谱响应和反射率的方法,所述方法包括以下工艺步骤:
步骤一、选择电池片
选择电池片一或电池片二,其中电池片一为传统工艺的晶硅电池片,其正面有负极栅线,背面有正极栅线;而电池片二为非传统工艺的晶硅电池片,其正面没有栅线,正、负极栅线均在背面,
步骤二、制作封装前电池片试样
在所述电池片一正面负极上焊接或粘接上一根焊带引出负极,电池片一背面不做改变,制作成封装前电池片一试样;或在所述电池片二背面正、负极上分别焊接或粘接上一根焊带引出正、负极,制作成封装前电池片二试样,
步骤三、测试封装前电池片试样的光谱响应和反射率曲线
测试封装前电池片一试样的光谱响应和反射率曲线时,电池片一试样的正面负极与光谱响应设备的探针相连,背面与光谱响应设备的平台紧密相接;测试封装前电池片二试样的光谱响应和反射率曲线时,将光谱响应设备的平台改成探针型,使电池片二试样正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连;另外,在测试时,圈定电池片试样一和电池片试样二上的测试点,以便封装后选取同样的测试点做对比,
步骤四、制作封装后电池片试样
对于封装前电池片一试样,在其正面依次叠层上EVA和玻璃,焊带露出玻璃,背面不需要EVA和背板,然后放进层压机进行层压,制作成封装后电池片一试样;对于封装前电池片二试样,在其正面叠层上EVA和玻璃,两根焊带露出玻璃,背面或依次叠层上EVA和背板,或不依次叠层上EVA和背板,然后放进层压机进行层压,制作成封装后电池片二试样,
步骤五、测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线
测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线时,首先测试点与封装前的要一致;其次,对于封装后电池片一试样,测试时其正面负极与光谱响应设备的探针相连,其背面与光谱响应设备的平台紧密相接;而对于封装后电池片二试样,将光谱响应设备的平台改成探针型,使电池片正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连,
步骤六、对比封装前、后电池片一试样和电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线,并得出结论。
从上述技术方案可以看出,本发明不仅能够对比不同电池片封装后的反射率和光谱响应差异,及同一种电池片封装前后的光谱响应变化,也能对比同一种电池片用不同种类的玻璃和EVA封装后的光谱响应变化,从而定性地得到经玻璃和EVA封装后电池到组件的短路电流变化。
本发明的有益效果是:
本发明提供了一种对比电池片和组件光谱响应的方法,将电池片和组件联系起来,有利于对比电池片封装前和封装后的光谱特性,为研究电池片经封装后短路电流的变化提供了一个分析依据。从而定量地得到经玻璃和EVA封装后电池到组件的短路电流变化。
附图说明
图1为本发明涉及的电池片一封装结构示意图。
图2为本发明涉及的电池片二封装结构示意图。
图中附图标记:
电池片一11、电池片二12;
焊带2
EVA 3
玻璃4。
具体实施方式
本发明适用于不同结构的电池片,包括传统工艺晶硅电池片和非传统工艺晶硅电池片;电池片的规格可以任意,但是电池片上必须可以连接出正负极。
下面附图是对本发明的进一步说明。
步骤一、选择电池片
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴鑫辉太阳能有限公司,未经江阴鑫辉太阳能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110279346.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数字微镜器件及其形成方法
- 下一篇:磁调制器虚零点检测器





