[发明专利]一种高灵敏度紫外探测器的制备方法

摘要

本发明揭示了一种高灵敏度紫外探测器的制备方法，该方法以调节宽禁带半导体的材料组分来实现对紫外波段的选择性探测。特别通过在该宽禁带半导体制备表面柱阵列结构，再采用紫外透光导电材料沉积并覆盖表面柱阵列结构区域作为肖特基接触电极，对入射光信号进行筛选，提高探测的信噪比。采用本发明制备方法制造的紫外探测器，极大地增大了探测器的比表面积，从而显著提高了紫外探测器的探测灵敏度，进而促进紫外探测器系统向小型化、便携式和高灵敏兼具的目标发展；同时，该制备方法具有简化工艺，降低成本的显著特效。

主权项

一种高灵敏度紫外探测器的制备方法，其特征在于包括步骤：Ⅰ、在蓝宝石衬底上通过Si的原位掺杂生长制备n型GaN掺杂层，并在n型GaN掺杂层上生长宽禁带半导体层；Ⅱ、在宽禁带半导体层上利用掩膜法进行台阶刻蚀，刻蚀台面外侧的欧姆电极区域至n型GaN掺杂层；Ⅲ、在欧姆电极区沉积Ti/Al/Ni/Au复合金属，并退火形成欧姆接触；Ⅳ、在步骤Ⅱ刻蚀所得的宽禁带半导体层台面上制备刻蚀掩膜，并利用感应耦合等离子体刻蚀法刻蚀出表面柱阵列，刻蚀深度300～500nm；Ⅴ、利用光刻套准和磁控溅射法在表面柱阵列区域沉积紫外透光导电层，并退火形成肖特基接触；Ⅵ、利用光刻套准和磁控溅射法分别在欧姆接触和肖特基接触表面制备加厚电极，并通过钝化、引线及封装后制成紫外探测器。