[发明专利]一种高灵敏度紫外探测器的制备方法

权利要求书

1.一种高灵敏度紫外探测器的制备方法，其特征在于包括步骤：

Ⅰ、在蓝宝石衬底上通过Si的原位掺杂生长制备n型GaN掺杂层，并在n型GaN掺杂层上生长宽禁带半导体层；

Ⅱ、在宽禁带半导体层上利用掩膜法进行台阶刻蚀，刻蚀台面外侧的欧姆电极区域至n型GaN掺杂层；

Ⅲ、在欧姆电极区沉积Ti/Al/Ni/Au复合金属，并退火形成欧姆接触；

Ⅳ、在步骤Ⅱ刻蚀所得的宽禁带半导体层台面上制备刻蚀掩膜，并利用感应耦合等离子体刻蚀法刻蚀出表面柱阵列，刻蚀深度300～500nm；

Ⅴ、利用光刻套准和磁控溅射法在表面柱阵列区域沉积紫外透光导电层，并退火形成肖特基接触；

Ⅵ、利用光刻套准和磁控溅射法分别在欧姆接触和肖特基接触表面制备加厚电极，并通过钝化、引线及封装后制成紫外探测器。

2.根据权利要求1所述的一种高灵敏度紫外探测器的制备方法，其特征在于：所述宽禁带半导体层至少为GaN层，ZnO层，Al_xGa_1-xN层及In_xAl_1-xN层中的一种，其中0＜x＜1。

3.根据权利要求1所述的一种高灵敏度紫外探测器的制备方法，其特征在于：步骤Ⅳ中制备刻蚀掩膜的方法至少包括对Ni薄膜退火法，涂覆SiO2颗粒法，投影式光刻法，纳米压印法及电子束光刻法。

4.根据权利要求1所述的一种高灵敏度紫外探测器的制备方法，其特征在于：步骤Ⅴ中所述紫外透光导电层至少为Ga₂O₃层、Ga₂O₃/ITO层和SiO_x’N_y层，其中                                               。