[发明专利]阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板200瓦负载片无效
| 申请号： | 201110278079.0 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102427154A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 郝敏 | 申请（专利权）人： | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板200瓦负载片，其包括一9.5*9.5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的正面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻横向布置。该阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板200瓦负载片平均功率可达到200瓦，且具有良好的VSWR性能，为国内微波无源器件的首创，替代同类的进口产品，填补国内的空白。 | ||
| 搜索关键词： | 阻抗 50 大功率 氮化 陶瓷 200 负载 | ||
【主权项】：
一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板200瓦负载片，其特征在于：其包括一9.5*9.5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的正面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻横向布置。
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