[发明专利]阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板200瓦负载片

说明书

技术领域

本发明涉及一种氮化铝陶瓷基板负载片，特别涉及一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板200瓦负载片。 

背景技术

目前氮化铝陶瓷基板负载片属于新型高科技产业，取代传统的不环保的氧化铍基板负载片，而国际一些公司对此新型产业的研究与开发起步比较早。随着国内微波通讯行业的日益发展，无论是出于价格因素还是自身发展的需要上，国内氮化铝陶瓷基板负载片的自主开发、设计研究愈发显得的重要。 

随着功率的增高，对氮化铝陶瓷作为基板的高功率负载片提出更高的要求，一方面为了达到更高的功率需要更大基板尺寸，一方面随着市场的不断发展又要求降低成本，并且元器件的小型化集成化又是新的发展趋势。同时，氮化铝陶瓷的导热性能随着温度的升高会有下降的趋势，但是矛盾的是，功率的不断提高，必然导致负载片在工作的过程中会产生更高的热量，也就是会达到更高的温度。 

发明内容

针对上述情况，本发明要解决的技术问题是提供一种9.5*9.5*1mm能够承载200W功率的氮化铝陶瓷基板负载片，其性能稳定，阻值精度高，价格更具优势。 

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案： 

一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板200瓦负载片，其包括一9.5*9.5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的正面印刷有背导层，所述氮化 铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻横向布置。 

优选的，所述电阻上印刷有玻璃保护膜，所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。 

优选的，所述背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。 

上述技术方案具有如下有益效果：该阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板200瓦负载片的电阻横向布置，这样在设计时可对电阻进行拉长，从而增加电阻的面积，使在9.5*9.5*1mm基板面积上能承受200瓦的功率。同时可使负载片在特性方面满足实际应用的要求，使其具有良好的VSWR性能，替代同类进口产品，填补国内空白。 

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。 

附图说明

图1为本发明实施例的结构示意图。 

具体实施方式

下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。 

如图1所示，该阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板200瓦负载片包括一9.5*9.5*1mm的氮化铝基板1，氮化铝基板1的背面印刷有背导层，氮化铝基板的正面印刷有导线2及电阻3，电阻3横向布置.电阻3通过导线2连接形 成负载电路，负载电路的接地端与背导层通过银浆电连接，这样即可使负载电路接地形成回路。电阻3上印刷有玻璃保护膜4，导线2及玻璃保护膜4的上表面还印刷有一层黑色保护膜5，这样可对导线2、电阻3及玻璃保护膜4形成有效保护。背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。负载电路上设有与引线焊接的焊盘。 

该阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板200瓦负载片的电阻横向布置，这样在设计时可对电阻进行拉长，从而增加电阻的面积，优化电路的设计，使在9.5*9.5*1mm基板上能承受200瓦的功率，同时也可使负载片在特性方面满足实际应用的要求，使其具有良好的VSWR性能，能够更好的与设备进行匹配，可替代同类进口产品，填补国内空白。 

以上对本发明实施例所提供的一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板200瓦负载片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。