[发明专利]发光二极管的制造方法无效
| 申请号： | 201110276423.2 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102916091A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 周佳贤;周建吉 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B23K26/36 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;吕俊清 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的制造方法，包括提供一基板；于该基板的一上表面形成一外延层；形成至少一发光二极管高台；对该基板的该上表面进行一激光切割工艺或一干蚀刻工艺，以在所述至少一发光二极管高台周围形成沟槽；对所述至少一发光二极管高台进行一侧边蚀刻工艺；以及对该基板的一下表面进行一隐形激光切割工艺。本发明在基板的上表面实行激光切割工艺与侧边蚀刻工艺以在外延层侧边形成斜面，另在基板的下表面实行隐形激光切割工艺以切割基板。在基板上表面的激光画线深度会小于外延层的厚度以避免在基板侧边产生烧痕，而侧边蚀刻工艺所形成的斜面则可以增加发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；于该基板的一上表面形成一外延层；形成至少一发光二极管高台；对该基板的该上表面进行一激光切割工艺或一干蚀刻工艺，以在所述至少一发光二极管高台周围形成沟槽；对所述至少一发光二极管高台进行一侧边蚀刻工艺；以及对该基板的一下表面进行一隐形激光切割工艺。
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