[发明专利]发光二极管的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管的制造方法，且特别涉及一种可提高取光效率的发光二极管的制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)主要由P型与N型的半导体材料组成，它能产生在紫外线、可见光以及红外线区域内的自发辐射光。一般可见光的发光二极管大部分应用在电子仪器设备的指示器或是照明，而红外线的发光二极管则应用于光纤通讯方面。发光二极管初时多用作为指示灯、显示板等，但随着白光发光二极管的出现，也被用作照明。由于LED具有省电、寿命长、亮度高等诸多优点，近来在环保与节能省碳的趋势下，LED的应用愈来愈广泛，例如交通号志、路灯、手电筒与液晶显示的背光模块等。

传统的发光二极管晶粒切割技术是利用钻石画线技术，以物理方式切割晶圆基板，然后以劈裂机作切段，使晶圆分裂为发光二极管晶粒。较先进的切割工艺则是采用激光切割机(laser scriber)来进行晶圆切割，其主要分为一般激光切割(laser scribing)工艺与隐形激光切割(stealth dicing)工艺两种。激光切割工艺是直接在晶圆表面烧蚀画线，而在隐形激光切割工艺则是穿透晶圆表面，使晶圆内部形成应力层(stress layer)，让晶圆由内部劈裂。

传统的激光切割(laser scribing)会产生微尘以及激光烧痕，容易影响发光二极管的发光效率。隐形激光切换工艺虽较不会有微尘喷溅的问题，但价格较为昂贵，且无法在外延层侧边形成倒角以协助取光。

发明内容

本发明提供一种发光二极管的制造方法，其利用激光切割工艺与侧边蚀刻工艺在外延层侧边形成斜面以增加出发光效率(Light Extraction Efficiency)，另，利用隐形激光切割工艺来切割基板，避免产生激光烧痕而影响发光效率。

本发明实施例提出一种发光二极管的制造方法，包括下列步骤：提供一基板；在基板上表面形成一外延层；形成多个发光二极管高台；对基板上表面进行一激光切割工艺或一干蚀刻工艺，以在发光二极管高台周围形成沟槽；对发光二极管高台进行一侧边蚀刻工艺；以及对基板下表面进行一隐形激光切割工艺。侧边蚀刻工艺可以在外延层侧边形成斜面以增加出光效率，而激光切割工艺则可以避免切割时在基板侧边产生激光烧痕而影响出光效率。

综合上述，本发明所提出的发光二极管的制造方法，利用激光切割工艺、侧边蚀刻工艺与隐形激光切割工艺来切割基板，以提高发光二极管的发光效率。激光切割工艺与侧边蚀刻工艺施加在基板正面，可以在外延层侧边形成倒角以增加出光，而切割基板时，采用背面切割的隐形激光切割工艺，可以避免产生激光烧痕，而提高出光效率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A～图1G绘示本发明一实施例的工艺示意图。

图2绘示本发明一实施例的发光二极管的制造方法流程图。

其中，附图标记说明如下：

101、102：发光二极管高台

105：外延层

110：基板

120：缓冲层

130：N型半导体层

140：有源层

150：P型半导体层

160：沟槽

170：斜面

181：电流阻挡层

182：电流扩散层

183、184：导电电极

190：切割位置

α：夹角

S201～S260：步骤

具体实施方式

在下文中，将借由附图说明本发明的实施例来详细描述本发明，而附图中的相同参考数字可用以表示类似的元件。