[发明专利]制造具有掩埋位线的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110275121.3 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102569201A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 黄义晟 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造具有掩埋位线的半导体器件的方法，包括以下步骤：刻蚀衬底以形成将有源区分隔开的沟槽；形成绝缘层，所述绝缘层具有使每个有源区的侧壁的一部分开放的开口；形成硅层图案以间隙填充每个沟槽的一部分并覆盖绝缘层中的开口；在硅层图案之上形成金属层；以及形成金属硅化物层作为掩埋位线，其中当金属层与硅层图案反应时形成金属硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 掩埋 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：刻蚀衬底以形成将有源区分隔开的沟槽；形成绝缘层，所述绝缘层具有使每个有源区的侧壁的一部分开放的开口；形成硅层图案以间隙填充每个沟槽的一部分并覆盖所述绝缘层中的所述开口；在所述硅层图案之上形成金属层；以及形成金属硅化物层作为掩埋位线，其中当所述金属层与所述硅层图案反应时形成所述金属硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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