[发明专利]预防物理气相沉积溅射工艺过程中金属靶材被击穿的方法有效

专利信息
申请号: 201110272663.5 申请日: 2011-09-15
公开(公告)号: CN102443770A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 杨奕;韩晓刚;陈建维 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/54
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 王敏杰
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种预防物理气相沉积溅射工艺过程中金属靶材被击穿的方法,基于溅射镀膜装置完成,包括下列步骤:靶一端加负电压,基底接地;实时跟踪物理气相沉积金属溅射工艺过程中电压V与电流I的数据,计算R=V/I,设定R数值代表靶材的虚拟厚度数值,设定上下限值,若R超过限值,启动报警机制;确定靶材厚度与机台的靶寿命之间的关联性,在整个靶材使用寿命周期内,让靶材厚度与机台的靶寿命之间,在数值上拟合成特定的计算关系,通过计算关系引出关联因子,并在系统中设定此关联因子的上下限值,若该关联因子数值超过限值,启动报警机制。本发明对靶材的厚度进行实时监控,能有效防止靶材品质不良、靶材更换失误、靶材过度使用等异常状况发生,可以避免许多不必要的损失。
搜索关键词: 预防 物理 沉积 溅射 工艺 过程 金属 靶材被 击穿 方法
【主权项】:
一种预防物理气相沉积溅射工艺过程中金属靶材被击穿的方法,基于溅射镀膜装置完成,溅射镀膜装置包括真空腔体,设置在真空腔体内的阴极靶材、镀膜产品和供气系统,供气系统包括进气口和将外部气源与进气口连通的供气通道,其特征在于,包括下列步骤:靶一端加负电压,基底接地,靶材、等离子体以及置于基底上的晶圆形成通路;实时跟踪物理气相沉积金属溅射工艺过程中电压与电流的数据,计算出R=V/I,其中V为加在靶上的电压,I为回路的电流,设定R数值代表靶材的虚拟厚度数值,并在系统中设定其大小的上下限值,若R超过限值,启动报警机制;确定靶材厚度与机台的靶寿命之间的关联性,在整个靶材使用寿命周期内,让靶材厚度与机台的靶寿命之间,在数值上拟合成特定的计算关系,通过计算关系引出关联因子,并在系统中设定此关联因子的上下限值,若该关联因子数值超过限值,启动报警机制。
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