[发明专利]一种矮生豇豆截根栽培方法

摘要

本发明提供一种矮生豇豆截根栽培方法，包括以下步奏：(1)先对矮生豇豆常规育苗，当第一对真叶散开时及时将苗起出，以子叶为基准对齐，20～30苗一束，用橡皮筋栓住；(2)用消毒后的利刀自子叶下方5cm处切断，抛弃根茎及以下的根部，5分钟内将伤口浸沾灭菌促根液10秒，浸沾深度为5cm；(3)将其立于粉碎过180目、加温至40-50℃的活性炭粉末中30～40分钟再定植，定植的深度以子叶刚露出地面为度，然后浇灌清水；(4)3天后浇以淡肥。本发明通过对发芽后的矮生刀豆的根部切除后再移栽，将矮生豇豆幼苗由原来的直根系转化为须根系，这一生理变化使其根系十分发达，彻底解决幼苗的倒伏问题，又延长了矮生豇豆的结荚高峰期，从而提高产量30％以上。

主权项

一种矮生豇豆截根栽培方法，其特征在于包括如下步奏：(1)、先对矮生豇豆常规育苗，当第一对真叶散开时及时将苗起出，以子叶为基准对齐，20～30苗一束，用橡皮筋栓住；(2)、用消毒后的利刀自子叶下方5cm处截断，抛弃根茎及以下的根部，5分钟内将伤口浸沾灭菌促根液10秒，浸沾深度为5cm；(3)、将其立于粉碎过180目、加温至40‑50℃的活性炭粉末中30～40分钟再定植，定植的深度以子叶刚露出地面为度，然后浇灌清水；(4)、3天后浇以淡肥。