[发明专利]一种MOS晶体管局部应力的引入技术

摘要

一种MOS晶体管局部应力的引入技术，属于半导体器件领域，尤其涉及关于在MOS晶体管栅极下面的沟道区引入局部应力的新技术。它的特征是先将在侧墙形成工艺步骤之后的MOS器件的栅极和侧墙用氮化硅薄膜覆盖，然后在MOS器件的源漏区上方区域淀积多晶硅，采用湿氧氧化法将多晶硅氧化成二氧化硅，在氧化过程中，体积膨胀，从而在MOS器件的沟道区引入应力。本发明工艺简单，与传统的MOS工艺兼容，成本较低，不仅适用于90纳米工艺节点以下的小尺寸器件，还可以推至0.13微米以上的较大尺寸的器件。

主权项

一种MOS晶体管局部应力的引入技术，其特征在于该应力的引入主要是通过在多晶硅氧化过程中体积的膨胀来引入应力，引入应力的工艺步骤如下：①按照传统MOS工艺：衬底的制备，阱区的形成，浅槽隔离工艺，多晶硅栅结构工艺，轻掺杂注入工艺，侧墙形成工艺制作形成了以二氧化硅(SiO2)作为侧墙的MOS器件，之后，在侧墙(24)和多晶硅栅(22)的掩模作用下，通过离子注入工艺注入杂质离子形成MOS器件的源漏，暂不做退火处理；②采用化学气相淀积工艺(CVD)淀积一层氮化硅(SiN)薄膜覆盖多晶硅栅(22)和侧墙(24)形成氮化硅覆盖保护层(26)，来阻止多晶硅栅在后续湿氧氧化工艺中发生氧化；③在MOS器件的源漏区上方区域(18)淀积一层多晶硅，湿氧氧化源漏区上方区域(18)的多晶硅，使之变为二氧化硅，从而通过多晶硅在氧化过程中体积的膨胀引入局部应力到MOS器件的沟道区，形成应变硅沟道(30)；④接下来通过局部互连等传统的工艺步骤完成整个器件的制作。