[发明专利]近晶态液晶空间散射度测量方法和装置有效

专利信息
申请号: 201110265448.2 申请日: 2011-09-08
公开(公告)号: CN102419315A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 于涛;田丽;孙刚 申请(专利权)人: 苏州汉朗光电有限公司
主分类号: G01N21/49 分类号: G01N21/49
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 孙仿卫;李艳
地址: 215123 江苏省苏州市工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种近晶态液晶空间散射度测量方法及适用于该方法的装置,其通过光线垂直入射近晶态液晶测试片、旋转测试片并取其方位角、通过调整到一定待测视场方向角的光电探测器测量散射光强度等步骤来对近晶态液晶空间散射度进行测量,通过数据测量和分析计算测知光线通过近晶态液晶后的散射光分布情况,以更客观的评价近晶态液晶材料。这种方式可以测量单光谱的散射分布,也可以测量全光谱的散射分布;可以测量透射光的散射分布,也可以测反射光的散射分布,还可以同时测量两者,从而更全面地评价近晶态液晶材料。
搜索关键词: 晶态 液晶 空间 散射 测量方法 装置
【主权项】:
1.一种近晶态液晶空间散射度测量方法,其特征在于包括如下步骤:(1)、光源发出准直细光束垂直入射到待测近晶态液晶测试片上;(2)、将测试片在其所处平面内绕入射光线的中心轴旋转一角度;(3)、将光电探测器分别调整到待测视场方向角,即光电探测器的接收面的法线与光线入射方向的夹角分别为,0≤∣∣﹤π/2,0≤∣∣﹤π/2,∣∣≠∣∣,分别测量第一位置的散射光强度q1和第二位置的散射光强度q2,散射光强度q符合广义高斯分布函数,其概率密度函数为式Ⅰ:(Ⅰ)其中,在0~之间取值;为形状参数,代表密度函数的衰减速率,为尺度参数,将其定义为散射空间分布系数,代表散射程度的强弱,β>0;Γ是gamma函数;由式Ⅱ计算散射空间分布系数(Ⅱ)。
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