[发明专利]超级结器件及制造方法有效
| 申请号： | 201110265394.X | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN103000665A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结器件，电流流动区的所有P型薄层都不和N+硅基片接触，且电流流动区的所有P型薄层的底部和N+硅基片表面之间的距离都大于N型硅外延层和N+硅基片之间的过渡区的厚度。本发明还公开了一种超级结器件的制造方法。本发明能提高器件的反向击穿电压和抗过冲电流能力的一致性，从而能整体提高器件的反向击穿电压和抗过冲电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超级结器件，在一N+硅基片上形成有一N型硅外延层，超级结器件的中间区域为电流流动区，所述电流流动区包含多个交替排列的形成于所述N型硅外延层中的P型薄层和N型薄层；所述终端保护结构环绕于所述电流流动区的外周，所述终端保护结构包括多个环绕于所述电流流动区的外周且交替排列的形成于所述N型硅外延层中的P型薄层和N型薄层；其特征在于：所述电流流动区的所有所述P型薄层都不和所述N+硅基片接触，且所述电流流动区的所有所述P型薄层的底部和所述N+硅基片表面之间的距离都大于所述N型硅外延层和所述N+硅基片之间的过渡区的厚度。
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