[发明专利]用于光电转换模块的前驱体及其制造方法无效
申请号: | 201110264952.0 | 申请日: | 2011-09-05 |
公开(公告)号: | CN102386275A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 斯特凡·克莱恩;科拉德·施沃恩特兹;杜比亚斯·斯托利 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明描述了用于光电转换模块的前驱体及其制造方法。该方法包括在透明的衬底上沉积TCO层、沉积第一导电类型层,其中沉积第一导电类型层的步骤包括通过化学气相沉积工艺提供含SiOX的第一防反射层。该方法还包括沉积第一本征型层以及沉积具有与第一导电类型层相反的导电类型的另一导电类型层。 | ||
搜索关键词: | 用于 光电 转换 模块 前驱 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造用于光电转换模块的层堆叠的方法,所述方法包括以下步骤:在透明的衬底上沉积TCO层;沉积第一导电类型层,该沉积步骤包括:通过化学气相沉积工艺提供含SiOX的第一防反射层;沉积第一本征型层;以及沉积具有与所述第一导电类型层相反的导电类型的另一导电类型层;
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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