[发明专利]用于光电转换模块的前驱体及其制造方法

说明书

技术领域

本发明的实施例一般地涉及沉积光电转换模块(例如薄膜太阳能电池)的层。具体地，它们涉及太阳能电池(例如，具有一个或多个p-i-n结或n-i-p结的太阳能电池)的层堆叠。具体地，它们涉及制造适用于薄膜太阳能电池的层堆叠的方法并涉及用于太阳能电池的前驱体。 

背景技术

晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池是太阳能电池的两种类型。晶体硅太阳能电池通常使用单晶衬底(即纯硅的单晶衬底)或者多晶硅衬底(即，多结晶硅或多晶硅)。将额外的膜层沉积在硅衬底上以增强光的捕获、形成电路，并且保护器件。薄膜太阳能电池使用沉积在适合的衬底上的材料的薄层以形成一个或多个p-i-n结。适合的衬底包括玻璃衬底、金属衬底和聚合物衬底。 

为了扩大太阳能电池的经济用途，必须提高效率。太阳能电池的稳定效率表示入射辐射被转换成可用电力的比例。为了使太阳能电池可用于更多的领域，太阳能电池的效率必须提高为超过目前的最好性能(对于Si基薄膜太阳能模块约为10％)。随着能源成本的上升，需要改善的薄膜太阳能电池以及在工厂环境中形成改善的薄膜太阳能电池的方法和设备。 

为了提高太阳能电池的效率，应该增加进入太阳能电池层堆叠并被转变成电子-空穴对的光子的数量。 

用于改进太阳能电池的批量生产的其他方面是大规模工艺的使用、提高生产率并且提高工艺进行的可靠性。因此，期望改进工艺以提高在大规模方面的效率并且用于在工业制造期间的应用。 

发明内容

根据如上所述，提供了如下所述的制造用于薄膜太阳能电池的层堆叠的方法以及如下所述的用于太阳能电池的前驱体。 

本发明的实施例提供了沉积用于光电转换模块(例如太阳能电池)的层堆叠的方法。根据一个实施例，提供了一种制造用于光电转换模块的层堆叠的方法。该方法包括以下步骤：在透明的衬底上沉积TCO层，以及沉积第一导电类型层。沉积第一导电类型层的步骤包括通过化学气相沉积工艺提供含SiO_X的第一防反射层。该方法还包括沉积第一本征型层，以及沉积具有与第一导电类型层相反的导电类型的另一导电类型层。 

根据另一实施例，提供了一种用于光电转换模块的前驱体。该前驱体包括透明的衬底、沉积在衬底上的TCO层、第一导电类型层，其中第一导电类型层包括通过化学气相沉积工艺而沉积的含SiO_X的第一防反射层。该前驱体还包括第一本征型层以及具有与第一导电类型层相反的导电类型的另一导电类型层。 

附图说明

为了能够详细理解得到本发明的上述特征的方式，参考在附图中图示的本发明的实施例，可以进行上面简要总结的本发明的更具体的描述。 

图1A是根据本发明的一个实施例的用于薄膜太阳能电池的层堆叠的示意性侧视图； 

图1B是根据本发明的一个实施例的双结薄膜太阳能电池的示意性侧视图； 

图2是根据本发明的一个实施例的另一薄膜太阳能电池的示意性侧视图； 

图3是根据本发明的一个实施例的又一双结薄膜太阳能电池的示意性侧视图； 

图4是图示了根据本文所述的实施例的制造太阳能电池前驱体的方法的流程图； 

图5A至图5H图示了根据本文所述的实施例的沉积在衬底上的层； 

图6是图示了根据本文所述的实施例的制造太阳能电池前驱体的方法 的流程图； 

图7是图示了根据本文所述的一个实施例的可以使用的群集工具的平面图； 

图8是根据本文所述的一个实施例的可以使用的沉积室的侧剖视图。 

为了方便理解，在可能的情况下，已使用相同的附图标记来标明各附图通用的相同或相似元件。可以设想，一个实施例的元件和特征可以在没有另外的陈述的情况下有利地结合到其他实施例中。 

然而，应该注意，附图仅图示了本发明的示例性实施例并且因此不应作为本发明的范围的限制，因为本发明还可以包含其他等同的实施例。 

具体实施方式

现在将详细地提及本发明的各个实施例，实施例的一个或多个示例在附图中说明。各个示例以说明本发明的方式提供并且不意图作为本发明的限制。例如，作为一个实施例的一部分说明或描述的特征能够用在其他实施例上或与其他实施例结合而产生另一个实施例。希望本发明包括这样的修改和变体。 

这里使用的术语“衬底”应该包含如晶圆、透明衬底或玻璃衬底(诸如玻璃板)的非柔性衬底，以及诸如薄片和箔等的柔性衬底。