[发明专利]像素结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种像素结构及其制作方法。像素结构包含有基板、设于基板上的电极图案、设置于电极图案上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的共通电极、设于共通电极上的第二绝缘层以及设于第二绝缘层上的漏极。第一绝缘层具有第一穿孔，且第二绝缘层具有第二穿孔。漏极包含通过第一穿孔与第二穿孔与电极图案电连接的第一部分及延伸至共通电极上方的第二部分。共通电极分别与电极图案以及第二部分耦合而成第一存储电容与第二存储电容。

主权项

一种像素结构，包含有：基板；栅极，设置于该基板上；电极图案，设置于该基板上；第一绝缘层，设置于该基板、该栅极以及该电极图案上，且该第一绝缘层具有第一穿孔曝露出部分该电极图案；共通电极，设置于该第一绝缘层上且对应于该电极图案；第二绝缘层，设置于该共通电极与该第一绝缘层上，且该第二绝缘层具有一第二穿孔对应该第一穿孔；半导体层，设置于该第二绝缘层上，且对应该栅极；源极以及一漏极，设置于该半导体层与该第二绝缘层上，并对应该栅极的二侧，该漏极包含第一部分及第二部分，该漏极的该第一部分与该漏极的该第二部分相互连接，且该漏极的该第一部分通过该第一穿孔以及该第二穿孔与该电极图案电连接，该漏极的该第二部分延伸至该共通电极上方，其中该电极图案与该共通电极部分重叠且耦合而成一第一存储电容，且该漏极的该第二部分与该共通电极部分重叠且耦合而成一第二存储电容；保护层，设置于该第二绝缘层、该半导体层、该源极以及该漏极上，且该保护层具有第三穿孔曝露出部分该漏极；以及像素电极，设置于该保护层上，且该像素电极经由该第三穿孔与该漏极电连接。