[发明专利]反熔丝及其形成方法和具有该反熔丝的非易失性存储器件的单位单元有效
| 申请号： | 201110261671.X | 申请日： | 2009-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN102306643B | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 辛昌熙;曹基锡;全成都 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限会社 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;赵中璋 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明是涉及一种反熔丝及其形成方法和具有该反熔丝的非易失性存储器件的单位单元，所述反熔丝包括：栅极介电层，其形成在衬底上；栅电极，其包括本体部分和从本体部分延伸的多个突出部分，其中本体部分和突出部分形成为在栅极介电层上与该层接触；和结区，其形成在通过所述突出部分的侧壁暴露的衬底的一部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 及其 形成 方法 具有 非易失性存储器 单位 单元 | ||
【主权项】：
一种反熔丝，包括：形成在衬底上的栅极介电层；栅电极，所述栅电极包括本体部分和从所述本体部分延伸的一个或多个突出部分，其中所述本体部分和所述一个或多个突出部分形成为在所述栅极介电层上与该层接触，所述栅极介电层在所述一个或多个突出部分之下具有均匀的厚度；和结区，所述结区形成在由所述一个或多个突出部分的侧壁暴露出的所述衬底的一部分中，其中所述栅极介电层包括第一介电层和比所述第一介电层更薄的第二介电层；所述第一介电层与所述本体部分相重迭，所述第二介电层与所述一个或多个突出部分相重迭；所述第二介电层构建为在向所述栅电极施加写入电压时击穿。
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