[发明专利]反熔丝及其形成方法和具有该反熔丝的非易失性存储器件的单位单元

权利要求书

1.一种反熔丝，包括：

形成在衬底上的栅极介电层；

栅电极，所述栅电极包括本体部分和从所述本体部分延伸的一个或 多个突出部分，其中所述本体部分和所述一个或多个突出部分形成为在 所述栅极介电层上与该层接触，所述栅极介电层在所述一个或多个突出 部分之下具有均匀的厚度；和

结区，所述结区形成在由所述一个或多个突出部分的侧壁暴露出的 所述衬底的一部分中，

其中所述栅极介电层包括第一介电层和比所述第一介电层更薄的 第二介电层；所述第一介电层与所述本体部分相重迭，所述第二介电层 与所述一个或多个突出部分相重迭；所述第二介电层构建为在向所述栅 电极施加写入电压时击穿。

2.权利要求1的反熔丝，其中所述一个或多个突出部分在相同方 向上从所述本体部分的一侧延伸。

3.权利要求1的反熔丝，其中所述本体部分和所述一个或多个突 出部分与所述衬底的有源区相重迭。

4.权利要求1的反熔丝，其中所述栅极介电层包括选自由氧化物 层、氮化物层、氧氮化物层及其组合所组成的组中的一种。

5.权利要求2的反熔丝，其中所述第一介电层构建为在向所述栅 电极施加所述写入电压时不击穿，并构建为在第二介电层击穿时提供补 偿电压以保持所述写入电压，由此实现稳定的写入操作。

6.一种包含反熔丝的非易失性存储器件的单位单元，所述反熔丝 包括：

形成在衬底上的栅极介电层；

栅电极，其包括本体部分和从所述本体部分延伸的一个或多个突出 部分，其中所述本体部分和所述一个或多个突出部分形成为在所述栅极 介电层上与该层接触，所述栅极介电层在所述一个或多个突出部分之下 具有均匀的厚度；和

结区，其形成在由所述一个或多个突出部分的侧壁暴露出的所述衬 底的一部分中，

其中所述栅极介电层包括第一介电层和比所述第一介电层更薄的 第二介电层；所述第一介电层与所述本体部分相重迭，所述第二介电层 与所述一个或多个突出部分相重迭；所述第二介电层构建为在向所述栅 电极施加写入电压时击穿。

7.权利要求6的单位单元，其中所述第一介电层构建为在向所述 栅电极施加所述写入电压时不击穿，并构建为在第二介电层击穿时提供 补偿电压以保持所述写入电压，由此实现稳定的写入操作。

8.一种用于制造反熔丝的方法，所述方法包括：

在衬底上形成栅极介电层；

形成包括本体部分和从所述本体部分延伸的一个或多个突出部分 的栅电极，所述本体部分和所述一个或多个突出部分形成为在所述栅极 介电层上与该层接触，所述栅极介电层在所述一个或多个突出部分之下 具有均匀的厚度；和

在由所述一个或多个突出部分的侧壁暴露出的所述衬底的一部分 中形成结区，

其中所述栅极介电层包括第一介电层和比所述第一介电层更薄的 第二介电层；所述第一介电层与所述本体部分相重迭，所述第二介电层 与所述一个或多个突出部分相重迭；所述第二介电层构建为在向所述栅 电极施加写入电压时击穿。

9.权利要求8的方法，其中所述栅极介电层的形成包括：

在所述衬底上形成第一介电层；

移除在与所述一个或多个突出部分相重迭的部分上所形成的所述 第一介电层的部分；和

在移除了所述第一介电层的所述部分上形成比所述第一介电层更 薄的第二介电层。

10.权利要求8的方法，其中所述栅极介电层的形成包括：

在所述衬底上选择性地在与所述本体部分重迭的部分上形成第一 介电层；和

在所述第一介电层上以及在所述衬底与所述一个或多个突出部分 相重迭的部分上形成第二介电层。

11.权利要求8的方法，其中所述一个或多个突出部分在相同方向 上从所述本体部分的一侧延伸。