[发明专利]半导体发光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110258907.4 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102969427A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 洪志欣 | 申请（专利权）人： | 华夏光股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 文琦;陈波 |
| 地址： | 开曼群岛孟帕里斯&卡尔德P.O.B*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体发光装置，其制造方法可包括下列步骤：提供一具有一磊晶结构的基材；藉由一遮蔽材料覆盖磊晶结构；在基材的侧壁的至少部分表面，镀上一反射层；移除遮蔽材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，包括：一基材；一磊晶结构，该磊晶结构位于所述基材的一顶面上，其中所述磊晶结构包括一第一型掺杂层、一发光层、一第二型掺杂层；以及一反射层，该反射层覆盖所述基材的侧壁的至少部分表面。
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