[发明专利]半导体发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光装置，包括：

一基材；

一磊晶结构，该磊晶结构位于所述基材的一顶面上，其中所述磊晶结构包括一第一型掺杂层、一发光层、一第二型掺杂层；以及

一反射层，该反射层覆盖所述基材的侧壁的至少部分表面。

2.如权利要求1的半导体发光装置，还包括位于所述反射层与所述基材的侧壁之间的一介电层。

3.如权利要求1的半导体发光装置，其中所述基材是用于成长所述磊晶结构的一成长基材。

4.如权利要求3的半导体发光装置，其中所述基材的厚度小于或等于200μm。

5.如权利要求4的半导体发光装置，其中所述基材相对于所述顶面的一底面的至少一部分也被所述反射层覆盖。

6.如权利要求1的半导体发光装置，其中所述基材通过一结合层结合所述磊晶结构的至少一个表面。

7.如权利要求6的半导体发光装置，其中所述反射层也覆盖所述结合层的侧壁的至少一部分表面。

8.如权利要求6的半导体发光装置，其中所述结合层是共晶合金层。

9.如权利要求6的半导体发光装置，其中所述结合层是黏着层。

10.如权利要求1的半导体发光装置，其中所述反射层的材质选自下列群组的其中之一或其组合：银、铝、钛/铝、钛/银、金、钛/金、铬/金、分布型布拉格反射材料。

11.如权利要求1的半导体发光装置，其中所述半导体发光装置包括水平式发光二极管芯片、垂直式发光二极管芯片、P型朝上发光二极管芯片，或N型朝上发光二极管芯片。

12.一种半导体发光装置的制造方法，包括下列步骤：

提供一具有一磊晶结构的基材，其中该磊晶结构位于所述基材的一顶面上并且包括一第一型掺杂层、一发光层、一第二型掺杂层；

藉由一遮蔽材料覆盖所述磊晶结构；

在所述基材的侧壁的至少部分表面，镀上一反射层；

移除所述遮蔽材料。

13.如权利要求12的制造方法，其中所述遮蔽材料的厚度等于或大于所述磊晶结构的厚度。

14.如权利要求12的制造方法，其中所述遮蔽材料包括一胶带。

15.如权利要求12项的制造方法，在镀上所述反射层之前，还包含固化所述遮蔽材料的步骤。

16.如权利要求15的制造方法，其中所述遮蔽材料包括光阻或黏胶。

17.如权利要求12的制造方法，其中所述基材是用于成长所述磊晶结构的一成长基材。

18.如权利要求17的制造方法，在镀上所述反射层之前，还包含用于减少所述基材的厚度的步骤。

19.如权利要求17的制造方法，其中所述基材相对于所述顶面的一底面的至少一部分，也镀有所述反射层。

20.如权利要求12的制造方法，其中所述磊晶结构与所述基材之间还包括一结合层，该结合层是黏着层或共晶合金层，所述反射层也覆盖所述结合层的侧壁的至少一部分表面。