[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明半导体装置具备第一导电型的第一半导体层(1)、第一漂移层(5)、第二漂移层(8)、第一电极(24)、和第二电极(25)，具有在第一电极(24)与第二电极(25)之间流过电流的元件部、和其外周的末端部。第一漂移层(5)具有在元件部中在第一方向上交替地配置的第1第一导电型柱层(3)和第1第二导电型柱层(4)，在末端部中具有第一外延层(2)。第二漂移层(8)在第二外延层(8)中的元件部和末端部中，具有沿着第一方向离开配置的第2及第3第二导电型柱层(7、7a)，将被它们分别所夹的第二外延层(8)分别作为第2及第3第一导电型柱层(6、6a)。

主权项

一种功率用半导体装置，具有在对置的第一电极与第二电极之间沿垂直方向流过电流的元件部、和在与上述垂直方向正交的水平面内包围上述元件部的末端部，其特征在于，具备：第一导电型的第一半导体层；第一漂移层，具有形成在上述第一半导体层上且第一导电型杂质的浓度比上述第一半导体层低的第一导电型的第一外延层、及仅在上述第一外延层中的上述元件部中沿平行于上述水平面的第一方向交替地反复配置且第一导电型杂质的浓度比上述第一外延层高的多个第1第一导电型柱层和多个第1第二导电型柱层；第二漂移层，具有形成在上述第一漂移层上且第一导电型杂质的浓度比上述第一外延层高的第一导电型的第二外延层、及在上述第二外延层中的上述元件部中沿着上述第一方向离开配置且与上述第1第二导电型柱层连接的多个第2第二导电型柱层、及由相邻的上述第2第二导电型柱层所夹持且由上述第二外延层构成且与上述第1第一导电型柱层连接的多个第2第一导电型柱层、及在上述第二外延层中的上述末端部中沿着上述第一方向离开配置且配置在上述第一外延层上的多个第3第二导电型柱层、及由相邻的上述第3第二导电型柱层所夹持且由上述第二外延层构成且配置在上述第一外延层上的多个第3第一导电型柱层；多个第二导电型基底层，在上述元件部中，有选择地形成在上述第二漂移层的表面，与上述第2第二导电型柱层电连接；第一导电型的源极层，有选择地形成在上述第二导电型基底层的表面；以及栅极电极，隔着栅极绝缘膜形成在上述源极层、上述基底层、上述第2第一导电型柱层之上；上述第一电极电连接在上述第一半导体层的与上述第一漂移层相反的一侧的表面上；上述第二电极与上述源极层及上述基底层电连接。