[发明专利]一种晶体硅太阳能电池片的扩散制备工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片的扩散制备工艺，首先在制绒清洗干净后的硅片正面进行低浓度掺杂，产生一层低浓度的扩散层；在扩散层表面氧化上一层二氧化硅薄膜，在二氧化硅薄膜上采用丝网印刷技术将电极栅线图案印在硅片正面，让印刷上的浆料与二氧化硅薄膜腐蚀反应进行开窗；将电极栅线区域腐蚀完的浆料清洗干净，再对开窗的电极栅线区域进行高浓度扩散。本发明制备工艺产出的太阳能电池片，短波响应好，接触电阻低，与激光刻蚀设备设备相比，采用的丝网印刷工艺，工艺成熟，人员熟练，设备成本低，工艺周期短，非常适用于要求低生产成本控制要求的太阳能企业的推广。

主权项

一种晶体硅太阳能电池片的扩散制备工艺，包括对硅片正面的电极栅线进行高浓度扩散，而对剩余区域进行低浓度扩散，其特征在于具体步骤为：1）在制绒清洗干净后的硅片正面进行低浓度掺杂，产生一层低浓度的扩散层；2）在扩散层表面氧化上一层二氧化硅薄膜，该薄膜作为扩散阻挡层；3）在二氧化硅薄膜上采用丝网印刷技术将电极栅线图案印在硅片正面，让印刷上的浆料与二氧化硅薄膜腐蚀反应进行开窗；4）将电极栅线区域腐蚀完的浆料清洗干净，再对开窗的电极栅线区域进行高浓度扩散。