[发明专利]一种晶体硅太阳能电池片的扩散制备工艺

说明书

 

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，特别涉及一种高效晶体硅太阳电池片的扩散制备工艺领。

背景技术

目前，高效晶体硅太阳能电池常用的扩散制备工艺是：先在制绒清洗干净后的硅片表面制备上一层致密的二氧化硅薄膜，然后用激光刻蚀设备对需要浓扩的电极栅线区域进行选择性刻蚀开窗，浓扩完毕后再去除硅片表面剩余部分的二氧化硅薄膜，对剩余部分进行淡扩散。用这种工艺方法制备的高效晶体硅太阳能电池步骤繁杂，工艺周期长且激光刻蚀设备价格昂贵，生产成本高，对人员操作要求高，只在一些有足够资金基础的大公司才能实现，不能被强调低成本的太阳能电池片企业所接受，其广泛的工业化应用受到了很大的限制。

发明内容

本发明提供的一种新型的高效晶体硅太阳能电池片的扩散制备工艺，采用丝网印刷方式从技术上解决目前高效晶体硅太阳电池成本高，生产周期长，设备昂贵的问题。

本发明所述的晶体硅太阳能电池片的扩散制备工艺，包括对硅片正面的电极栅线进行高浓度扩散，而对剩余区域进行低浓度扩散，其特征在于具体步骤为：

1）在制绒清洗干净后的硅片正面进行低浓度掺杂，产生一层低浓度的扩散层；

2）在扩散层表面氧化上一层二氧化硅薄膜，该薄膜作为扩散阻挡层；

3）在二氧化硅薄膜上采用丝网印刷技术将电极栅线图案印在硅片正面，让印刷上的浆料与二氧化硅薄膜腐蚀反应进行开窗；

4）将电极栅线区域腐蚀完的浆料清洗干净，再对开窗的电极栅线区域进行高浓度扩散。

上述步骤3）中浆料中含15%—30%的氟化氢氨，印刷量为0.100g-0.150g/cm².

本发明提供的新型高效晶体硅太阳电池的扩散制备工艺产出的太阳能电池片，短波响应好，接触电阻低，与激光刻蚀设备设备相比，采用的丝网印刷工艺，工艺成熟，人员熟练，设备成本低，工艺周期短，非常适用于要求低生产成本控制要求的太阳能企业的推广。

附图说明

    图1是本发明的工艺流程图。

具体实施方式

     以下结合图1及实施例对本发明进行详细描述。

实施例1：

1）在已经制绒清洗干净的硅片表面采用管式扩散炉先进行低浓度的掺杂，方阻在63Ω-70Ω；

2）掺杂完毕后在硅片的掺杂面热氧化制备上一层二氧化硅薄膜，薄膜为深蓝色，膜厚60nm-80nm；

3）在二氧化硅薄膜上采用丝网印刷工艺，印刷上电极栅线图案，用氟化氢氨含量为15%的浆料对二氧化硅薄膜进行腐蚀性开窗，浆料的印刷量在0.100g-0.150g /cm²；

4）对开窗处得电极栅线区域进行高浓度掺杂，方阻在30Ω-35Ω。

实施例2：

1）在已经制绒清洗干净的硅片表面采用管式扩散炉先进行低浓度的掺杂，方阻在63Ω-70Ω；

2）掺杂完毕后在硅片的掺杂面热氧化制备上一层二氧化硅薄膜，薄膜为深蓝色，膜厚60nm-80nm；

3）在二氧化硅薄膜上采用丝网印刷工艺，印刷上电极栅线图案，用氟化氢氨含量为30%的浆料对二氧化硅薄膜进行腐蚀性开窗，浆料的印刷量在0.100g-0.150g /cm²；

4）对开窗处得电极栅线区域进行高浓度掺杂，方阻在30Ω-35Ω。

实施例3：

1）在已经制绒清洗干净的硅片表面采用管式扩散炉先进行低浓度的掺杂，方阻在63Ω-70Ω；

2）掺杂完毕后在硅片的掺杂面热氧化制备上一层二氧化硅薄膜，薄膜为深蓝色，膜厚60nm-80nm；

3）在二氧化硅薄膜上采用丝网印刷工艺，印刷上电极栅线图案，用氟化氢氨含量为25%的浆料对二氧化硅薄膜进行腐蚀性开窗，浆料的印刷量在0.100g-0.150g /cm²；

4）对开窗处得电极栅线区域进行高浓度掺杂，方阻在30Ω-35Ω。

 

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进，这些改进也应视为本发明的保护范围。