[发明专利]一种厘米级纯相BiFeO3单晶的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110252660.5 申请日: 2011-08-30
公开(公告)号: CN102953116A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 陆俊;吴以成;傅佩珍;冯凯 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: C30B9/12 分类号: C30B9/12;C30B29/24;C30B30/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周长兴
地址: 100080 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种厘米级纯相BiFeO3单晶的制备方法:a)将Fe2O3与Bi2O3两种原料混匀后放入晶体生长炉中;b)晶体生长炉升温至825℃以上并保温;c)缓慢降温,至熔体表面出现晶核时再缓慢升温,至晶核减少至一个时再缓慢降温,至晶核数目增多时再缓慢升温,当晶核数目再次减少至一个时再缓慢降温维持BFO单晶的稳定生长,直至其生长停止;d)晶体生长完全且凝固后将晶体生长炉冷却至室温;e)取出晶体清洗后即得到纯相BiFeO3单晶。本发明使用高温溶液震荡选晶法控制其形核及生长过程,经过多轮升降温,促使尺寸较小的晶核熔化而保留尺寸较大的晶核以最终获得BiFeO3单晶。
搜索关键词: 一种 厘米 级纯相 bifeo sub 制备 方法
【主权项】:
一种厘米级纯相BiFeO3单晶的制备方法,使用高温溶液震荡选晶法控制其形核及生长过程,经过多轮升降温,促使尺寸较小的晶核熔化而保留尺寸较大的晶核以最终获得BiFeO3单晶;其制备步骤为:a)将Fe2O3与Bi2O3两种原料按照Fe2O3占总量摩尔比为16‑18%的配方称量混匀后放入晶体生长炉中;b)晶体生长炉的升温速率为20‑40℃/h,将温度升至825℃以上,并保温;c)以0.1‑0.5℃/h的速率降温,至熔体表面出现晶核时以0.1‑0.5℃/h的速率升温,至晶核减少至一个时再以0.1‑0.5℃/h的速率降温,至晶核数目增多时再以0.1‑0.5℃/h的速率升温,当晶核数目再次减少至一个时再以0.01‑0.1℃/h的速率降温维持BFO单晶的稳定生长,直至其生长停止;d)晶体生长完全且完全凝固后以8‑10℃/h的速率将晶体生长炉冷却至室温;e)取出晶体清洗后即得到纯相BiFeO3单晶。
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