[发明专利]用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法

摘要

本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法，清洗硅片后，采用碱刻蚀制备金字塔结构表面，然后再结合贵金属纳米粒子催化刻蚀的方法制得多孔金字塔表面陷光结构，采用本发明的方法制备出的硅表面多孔金字塔型陷光结构，在300nm到1000nm的光谱范围内其平均反射率降到了3.3％的水平，为提高硅太阳能电池的效率提供了新的技术手段。本发明综合利用传统碱刻蚀与贵金属纳米粒子辅助刻蚀的工艺方法、保持湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果。

主权项

一种用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法，其特征在于，清洗硅片后，采用碱刻蚀制备金字塔结构表面，然后再结合贵金属纳米粒子催化刻蚀的方法制得多孔金字塔表面陷光结构，具体步骤如下：a.清洗硅片：以丙酮、CP‑4A溶液和氢氟酸的水溶液为清洗剂依次对硅片进行清洗，每一种清洗剂清洗完之后均采用去离子水或超纯水冲洗，得到清洁的硅表面；b.采用碱刻蚀制备金字塔结构表面：硅片在水浴加热下用碱性腐蚀剂腐蚀，刻蚀出表面的金字塔绒面，然后用去离子水或超纯水冲洗干净；c.离子溅射镀银：在＜10‑4mbar的高真空条件下，通过离子溅射在硅表面沉积一层2～3nm厚的纳米银粒子层；d.采用贵金属纳米粒子催化刻蚀：将镀银后的硅片在酸性腐蚀剂中浸泡，然后用去离子水冲洗干净；e.去除残留的银，得到硅表面多孔金字塔型陷光结构；f.抽真空干燥，干燥器中保存。