[发明专利]化合物半导体器件、其制造方法、电源器件和高频放大器有效
| 申请号： | 201110251335.7 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102386222A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 美浓浦优一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种化合物半导体器件、其制造方法、电源器件和高频放大器，该化合物半导体器件包括：衬底，具有在该衬底的背侧形成的开口；化合物半导体层，布置在所述衬底的表面之上；位于所述化合物半导体层中的局部p型区域，被部分地暴露在所述衬底开口的底部；以及由导电材料制成的背部电极，被布置在所述衬底开口中以连接至所述局部p型区域。本发明的HEMT结构防止由于电容增大而造成的高频性能的下降，防止漏极电极和漏极线与背部电极之间的击穿，并允许通过碰撞电离而生成的空穴在没有增加芯片面积的情况下容易地、可靠地被提取并被排出。本发明的HEMT可表现出高耐受电压和高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 制造 方法 电源 器件 高频放大器 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底，具有在该衬底的背侧形成的开口；化合物半导体层，布置在所述衬底的表面之上；局部p型区域，位于所述化合物半导体层中，所述局部p型区域被部分地暴露在所述衬底开口的底部；以及背部电极，由导电材料制成，所述背部电极被布置在所述衬底开口中，以连接至所述局部p型区域。
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