[发明专利]化合物半导体器件、其制造方法、电源器件和高频放大器

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

衬底，具有在该衬底的背侧形成的开口；

化合物半导体层，布置在所述衬底的表面之上；

局部p型区域，位于所述化合物半导体层中，所述局部p型区域被部分地暴露在所述衬底开口的底部；以及

背部电极，由导电材料制成，所述背部电极被布置在所述衬底开口中，以连接至所述局部p型区域。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中，所述衬底为绝缘和半绝缘之一，并且其中，所述背部电极覆盖所述开口的内壁和底部。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括在所述化合物半导体层之上形成的源极电极，其中，所述衬底开口位于所述源极电极之下，以与所述源极电极对准。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括在所述化合物半导体层之上形成的源极线，其中，所述衬底开口位于所述源极线之下，以与所述源极线对准。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括在所述化合物半导体层之上形成的源极电极和源极线，其中，所述开口位于布置有所述源极电极和所述源极线的区域之下，以与该区域对准。

6.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括在所述化合物半导体层之上形成的源极电极和栅极电极，其中所述衬底开口位于布置有所述源极电极和所述栅极电极的区域之下，以与该区域对准。

7.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括在所述化合物半导体层之上形成的源极线和栅极线，其中，所述衬底开口位于布置有所述源极线和所述栅极线的区域之下，以与该区域对准。

8.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括在所述化合物半导体层之上形成的源极电极、源极线、栅极电极和栅极线，其中，所述衬底开口位于布置有所述源极电极、所述源极线、所述栅极电极和所述栅极线的区域之下，以与该区域对准。

9.一种制造化合物半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：

在衬底的表面之上形成化合物半导体层；

在所述衬底的背侧形成用于暴露所述化合物半导体层的一部分的开口；

通过将p型掺杂物引入至所述化合物半导体层的该部分，从而形成被部分地暴露在所述衬底开口的底部的局部p型区域；以及

形成由导电材料制成的背部电极，以将其布置在所述衬底开口中并连接至所述p型区域。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述衬底为绝缘和半绝缘之一，并且其中，所述背部电极在所述衬底的背表面之上形成，以覆盖所述衬底开口的内壁和底部。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述p型掺杂物是铍离子和镁离子之一。

12.根据权利要求9所述的方法，还包括如下步骤：在所述衬底开口的底部之上形成源极电极，以与所述衬底开口的底部对准。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括如下步骤：在所述衬底开口的底部之上形成源极线，以与所述衬底开口的底部对准。

14.根据权利要求9所述的方法，还包括如下步骤：在所述衬底开口的底部之上形成源极电极和源极线，使得布置有所述源极电极和所述源极线的区域与所述衬底开口的底部对准。

15.根据权利要求9所述的方法，还包括如下步骤：在所述衬底开口的底部之上形成源极电极和栅极电极，使得布置有所述源极电极和所述栅极电极的区域与所述衬底开口的底部对准。

16.根据权利要求9所述的方法，还包括如下步骤：在所述衬底开口的底部之上形成源极线和栅极线，使得布置有所述源极线和所述栅极线的区域与所述衬底开口的底部对准。

17.根据权利要求9所述的方法，还包括如下步骤：在所述衬底开口的底部之上形成源极电极、源极线、栅极电极和栅极线，使得布置有所述源极电极、所述源极线、所述栅极电极和所述栅极线的区域与所述衬底开口的底部对准。