[发明专利]金属互连线的制造方法有效
| 申请号： | 201110247539.3 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102956545A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;黄晓辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种金属互连线的制造方法，用于金属栅极工艺，包括：提供半导体衬底，其上形成有虚设栅极；在所述半导体衬底上依次覆盖阻挡层、应力层和第一层间介质层；进行第一次化学机械研磨；去除所述虚设栅极，形成金属栅极，所述金属栅极上形成有金属氧化层；覆盖第二层间介质层；刻蚀所述第二层间介质层、第一层间介质层和应力层，以形成开口；去除所述开口中暴露的金属氧化层和阻挡层；在所述开口中形成金属互连线。本发明用于提高金属互连线的电连特性。本发明所述金属互连线的制造方法能够保护有源区上的金属硅化物区在去除金属氧化层的同时保护金属硅化物区，提高金属栅极与金属互连线以及有源区与金属互连线的电连特性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属互连线的制造方法，包括：提供半导体衬底，其上形成有虚设栅极；在所述半导体衬底上依次覆盖阻挡层、应力层和第一层间介质层；进行第一次化学机械研磨，直至暴露所述虚设栅极；去除所述虚设栅极，形成金属栅极，所述金属栅极上形成有金属氧化层；在所述第一层间介质层和所述金属氧化层上覆盖第二层间介质层；刻蚀所述第二层间介质层、第一层间介质层和应力层，以形成开口，所述开口中暴露所述金属氧化层和阻挡层；利用离子轰击的方法去除所述开口中暴露的金属氧化层和阻挡层；在所述开口中形成金属互连线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
