[发明专利]金属互连线的制造方法

权利要求书

1.一种金属互连线的制造方法，包括：

提供半导体衬底，其上形成有虚设栅极；

在所述半导体衬底上依次覆盖阻挡层、应力层和第一层间介质层；

进行第一次化学机械研磨，直至暴露所述虚设栅极；

去除所述虚设栅极，形成金属栅极，所述金属栅极上形成有金属氧化层；

在所述第一层间介质层和所述金属氧化层上覆盖第二层间介质层；

刻蚀所述第二层间介质层、第一层间介质层和应力层，以形成开口，所述开口中暴露所述金属氧化层和阻挡层；

利用离子轰击的方法去除所述开口中暴露的金属氧化层和阻挡层；

在所述开口中形成金属互连线。

2.如权利要求1所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为氧化硅或氮氧化硅。

3.如权利要求1所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为30～100埃。

4.如权利要求1所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，在形成所述开口的步骤中，包括：

在所述第二层间介质层表面形成图案化的抗刻蚀层；

以所述抗刻蚀层为掩膜，刻蚀所述第二层间介质层和第一层间介质层，以形成开口；

去除所述抗刻蚀层和应力层。

5.如权利要求4所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述抗刻蚀层包括底部抗反射涂层和位于所述底部抗反射层上的光刻胶层。

6.如权利要求1所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，在所述开口中形成金属互连线的步骤，包括：

利用离子轰击的方法去除所述开口中暴露的金属氧化层和阻挡层；

在所述开口中覆盖金属粘着层；

在所述金属粘着层上覆盖金属互连线层，所述金属互连线层填充所述开口；

进行第二次化学机械研磨，直至暴露所述第二层间介质层。

7.如权利要求1或6所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，利用氩等离子体溅射去除所述开口中暴露的金属氧化层和阻挡层。

8.如权利要求1所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述第二层间介质层由底面向上依次包括第一氧化层、氮化层和第二氧化层。

9.如权利要求8所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为30埃～100埃。

10.如权利要求8所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述氮化层的厚度为50埃～500埃。

11.如权利要求1～10中任意一项所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述虚设栅极的材质为多晶硅。

12.如权利要求1～10中任意一项所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述金属栅极两侧的半导体衬底中形成有金属硅化物区。

13.如权利要求12所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述金属硅化物区的材质为镍硅化物、钴硅化物、钨硅化物、钛硅化物以及钽硅化物中的一种或其组合。

14.如权利要求1～10中任意一项所述的金属互连线的制造方法，其特征在于，所述金属栅极的材质为铝或铝钛化合物。