[发明专利]电子系统、存储器及其提供方法

摘要

本发明公开了一种电子系统、存储器及其提供方法，该存储器具有一存储元件及至少有一个二极管以作为其编程选择器。此二极管可以是接面二极管。存储元件有第一端被耦合到第一二极管的P+主动区和第二二极管的N+主动区，其中P+主动区是二极管的P端而N+主动区是二极管的N端。经由施加高电压到存储元件的第二端和切换第一二极管的N端到低电压而切断了第二二极管，此存储元件可由改变电阻被编程到一逻辑状态。经由施低电压到存储元件的第二端和和切换第二二极管的P端到高电压而切断了第一二极管，此存储元件可由改变电阻被编程到另一逻辑状态。二极管的P+主动区可被隔离于N井里的N+主动区经由使用假MOS栅极，硅化阻挡层(SBL)，或浅沟槽隔离(STI)隔离。

主权项

一种存储器，其特征在于，包括：多个记忆存储单元，至少一记忆存储单元包括：一存储元件有第一端和第二端，该第一端被耦合到第一电源电压线；及一第一二极管包括至少一第一端和一第二端，其中该第一端具有一第一类型掺杂，该第二端具有一第二类型掺杂，该第一二极管的该第一端被耦合到该存储元件的该第二端；一第二二极管包括至少一第一端和一第二端，其中该第一端具有一第一类型掺杂，该第二端具有一第二个类型掺杂，该第二二极管的该第二端被耦合到该存储元件的该第二端；其中该第一二极管的该第二端被耦合到一第二电源电压线；其中该第二二极管的该第一端被耦合到该第二或一第三电源电压线；其中，该存储元件被配置为可编程到不同的逻辑状态，经由施加电压到该第一，第二和/或第三电源电压线，从而导通该第一二极管而切断了该第二二极管到一逻辑状态，或导通该第二二极管而切断了该第一二极管到另一逻辑状态。