[发明专利]电子系统、存储器及其提供方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

多个记忆存储单元，至少一记忆存储单元包括：

一存储元件有第一端和第二端，该第一端被耦合到第一电源电压线；及

一第一二极管包括至少一第一端和一第二端，其中该第一端具有一第一类型掺杂，该第二端具有一第二类型掺杂，该第一二极管的该第一端被耦合到该存储元件的该第二端；

一第二二极管包括至少一第一端和一第二端，其中该第一端具有一第一类型掺杂，该第二端具有一第二个类型掺杂，该第二二极管的该第二端被耦合到该存储元件的该第二端；

其中该第一二极管的该第二端被耦合到一第二电源电压线；

其中该第二二极管的该第一端被耦合到该第二或一第三电源电压线；

其中，该存储元件被配置为可编程到不同的逻辑状态，经由施加电压到该第一，第二和/或第三电源电压线，从而导通该第一二极管而切断了该第二二极管到一逻辑状态，或导通该第二二极管而切断了该第一二极管到另一逻辑状态。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，该存储元件是一磁性隧道接面由拥有多层次的铁磁或反铁磁迭的固定堆栈层，和多层次的铁磁或反铁磁迭的自由堆栈层，而绝缘体在二堆栈层之间。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，该存储元件是在硅表面为一椭圆形的磁性隧道接面。

4.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，该存储元件是一磁性隧道接面，且在硅表面对该第一或第二电源电压线为一倾斜椭圆形。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，该存储元件是金属或金属合金电极和电极之间的金属氧化物。

6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，该存储元件是是电极和电极之间的固态电解质薄膜。

7.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，至少有一二极管为接面二极管，其第一和第二主动区作为二极管的两端存在井里。

8.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，至少有一二极管为接面二极管，其第一和第二主动区作为二极管的两端存在井里，其所在的井是用来制造金氧半导体组件。

9.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，至少有一二极管为接面二极管，其两个主动区作为二极管的两端，且被一个假MOS栅极分开。

10.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，至少有一二极管为接面二极管，其两个主动区作为二极管的两端，且被一个浅沟槽隔离分开。

11.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，至少有一二极管为接面二极管，其两个主动区作为二极管的两端，且被一硅化物阻挡层分开。

12.一种存储器，其特征在于，包括：

多个记忆存储单元，至少有一记忆存储单元包括：

一存储元件有第一端和第二端，该第一端被耦合到一第一电源电压线；及

一第一二极管包括至少一第一端和一第二端，其中该第一端具有一第一类型掺杂，第二端具有一第二类型掺杂，该第一二极管的该第一端被耦合到该存储元件的该第二端；

一第二二极管包括至少一第一端和一第二端，其中该第一端具有一第一类型掺杂，该第二端具有一第二类型掺杂，该第二二极管的该第二端被耦合到该存储元件的该第二端；

其中该第一二极管的该第二端和该第二二极管的该第一端被耦合到一第二电源电压线；

其中，该存储元件被配置为可编程到不同的逻辑状态，经由施加电压到该第一和第二电源电压线，从而导通该第一二极管而切断了该第二二极管到一逻辑状态，或导通该第二二极管而切断了该第一二极管到另一逻辑状态。