[发明专利]用于间隙填充的隔离结构外观有效
| 申请号： | 201110243144.6 | 申请日： | 2011-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102637720A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 王祥保 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了一种沟槽隔离结构和用于制作该沟槽隔离结构的方法。典型沟槽隔离结构包括第一部和第二部。第一部从半导体基板的表面至在半导体基板中的第一深度延伸，并且具有从在半导体基板的表面处的第一宽度至在第一深度处的第二宽度变窄的宽度，第一宽度大于第二宽度。第二部从在半导体基板中的第一深度至第二深度延伸，并且具有基本上从第一深度至第二深度的第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 间隙 填充 隔离 结构 外观 | ||
【主权项】：
一种沟槽隔离结构，包括：第一沟槽隔离部，具有从半导体基板的表面延伸至所述半导体基板中的第一深度的第一侧壁，在所述第一侧壁和所述半导体基板的所述表面之间的第一角；以及第二沟槽隔离部，具有从所述第一深度处的所述第一侧壁延伸至所述半导体基板中的第二深度的第二侧壁，在所述第二侧壁和所述半导体基板的所述表面之间的第二角，其中，所述第一角小于所述第二角。
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