[发明专利]用于间隙填充的隔离结构外观

权利要求书

1.一种沟槽隔离结构，包括：

第一沟槽隔离部，具有从半导体基板的表面延伸至所述半导体基板中的第一深度的第一侧壁，在所述第一侧壁和所述半导体基板的所述表面之间的第一角；以及

第二沟槽隔离部，具有从所述第一深度处的所述第一侧壁延伸至所述半导体基板中的第二深度的第二侧壁，在所述第二侧壁和所述半导体基板的所述表面之间的第二角，其中，所述第一角小于所述第二角。

2.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构，其中，所述第一沟槽隔离部具有从所述半导体基板的所述表面的第一宽度至所述第一深度处的第二宽度逐渐变窄的宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。

3.根据权利要求2所述的沟槽隔离结构，其中，所述第二沟槽隔离部的宽度基本上等于从所述第一深度至所述第二深度的所述第二宽度。

4.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构，进一步包括：第三沟槽隔离部，具有从第二深度处的所述第二侧壁延伸至半导体基板中的第三深度的第三侧壁，在所述第三侧壁和所述半导体基板的所述表面之间的第三角，其中，所述第三角小于所述第一角和所述第二角。

5.根据权利要求4所述的沟槽隔离结构，其中，所述第三沟槽隔离部的宽度从所述第二深度处的所述第二沟槽隔离部的宽度逐渐变窄至小于所述第三深度处的所述第二沟槽隔离部的所述宽度。

6.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构，其中，所述第一角小于或等于约85°而第二角约为90°。

7.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构，其中，所述第一沟槽隔离部和所述第二沟槽隔离部填充有绝缘材料。

8.一种器件，包括：

半导体基板；以及

在所述半导体基板中的沟槽，包括：

第一部，从所述半导体基板的表面延伸至所述半导体基板中的第一深度，其中，所述第一部具有从所述半导体基板的所述表面处的第一宽度至在所述第一深度处的第二宽度逐渐变窄的宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。

第二部，从所述第一深度延伸至所述半导体基板中的第二深度，其中，所述第二部基本上具有从所述第一深度至所述第二深度的所述第二宽度。

9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述第一部包括：逐渐变窄的侧壁，在所述半导体基板的所述表面和所述逐渐变窄的侧壁之间的角小于约85°。

10.一种方法，包括：

提供半导体基板；以及

执行至少两种蚀刻工艺以形成在所述半导体基板中的沟槽，其中，所述执行至少两种蚀刻工艺包括：

执行第一蚀刻工艺以形成从所述半导体基板的表面延伸至所述半导体基板中的第一深度的第一沟槽部，其中，所述第一沟槽部具有从所述半导体基板的所述表面处的第一宽度至所述第一深度处的第二宽度逐渐变窄的宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度，以及

执行第二蚀刻工艺以形成第二沟槽部和第三沟槽部，所述第二沟槽部从所述第一深度延伸至所述半导体基板中的第二深度，其中，所述第二沟槽部具有基本上从所述第一深度至所述第二深度的所述第二宽度，并且所述第三沟槽部从所述第二深度延伸至所述半导体基板中的第三深度，其中，所述第三沟槽部具有从所述第二深度处的所述第二宽度至在所述第三深度处的第三宽度逐渐变窄的宽度，所述第二宽度大于所述第三宽度；以及

用材料填充所述沟槽。