[发明专利]改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的回收方法有效
| 申请号： | 201110235948.1 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102372271A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张新;郭勇;王璜;尹志兵 | 申请（专利权）人： | 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 武森涛 |
| 地址： | 614000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及改良西门子法多晶硅生产中，废弃氯硅烷的回收方法，属于多晶硅生产领域。包括以下步骤：1)收集废弃氯硅烷输送到储液罐：2)储液罐中的废弃氯硅烷输送到蒸发器中；3)蒸发器加热：加热至30-180℃使蒸发器内氯硅烷汽化生产氯硅烷蒸汽，蒸发器中的残留液进行水解处理；4)汽化后的氯硅烷蒸汽与湿气反应，杂质反应生成高沸物；5)气体回收：气体经气-固分离除去微量固体杂质，冷凝回收氯硅烷。采用本发明方法能够将生产过程中被污染的和杂质含量高的氯硅烷杂质去除，达到改良西门子法生产多晶硅工艺中氯硅烷原料杂质含量要求，且成本低、环保，不需额外设备。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 西门子 生产 多晶 废弃 硅烷 回收 方法 | ||
【主权项】：
改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的回收方法，其特征在于包括以下步骤：1)收集废弃氯硅烷输送到储液罐：2)储液罐中的废弃氯硅烷输送到蒸发器中；3)蒸发器加热：加热至30‑180℃使蒸发器内氯硅烷汽化生产氯硅烷蒸汽，蒸发器中的残留液进行水解处理；4)汽化后的氯硅烷蒸汽与湿气反应，杂质反应生成高沸物；5)气体回收：带有高沸物的气体经气‑固分离除去微量固体杂质，净化后的气体冷凝回收氯硅烷。
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