[发明专利]改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的回收方法

权利要求书

1.改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的回收方法，其特征在于包括以下步骤：

1)收集废弃氯硅烷输送到储液罐：

2)储液罐中的废弃氯硅烷输送到蒸发器中；

3)蒸发器加热：加热至30-180℃使蒸发器内氯硅烷汽化生产氯硅烷蒸汽，蒸发器中的残留液进行水解处理；

4)汽化后的氯硅烷蒸汽与湿气反应，杂质反应生成高沸物；

5)气体回收：带有高沸物的气体经气-固分离除去微量固体杂质，净化后的气体冷凝回收氯硅烷。

2.根据权利要求1所述的改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的回收方法，其特征在于：步骤1)储罐顶部安装有冷却器，不凝气体经冷却后进行无害化处理。

3.根据权利要求1所述的改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的回收方法，其特征在于：步骤1)储液罐压力控制在表压20-900kpa，氯硅烷废液通过泵送方式或气力输送方式输送到蒸发器中。

4.根据权利要求3所述的改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的回收方法，其特征在于：泵送方式输送时，储液罐压力控制在表压50-150kpa；气力方式输送时，储液罐压力控制在表压400-550kpa。

5.根据权利要求1所述的改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的回收方法，其特征在于：步骤3)蒸发器内废液进行不停地搅拌。

6.根据权利要求1所述的改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的回收方法，其特征在于：步骤3)蒸发器内温度控制在110-140℃，压力控制在300-400kpa。

7.根据权利要求6所述的改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的回收方法，其特征在于：采用3barg的蒸汽加热，温度控制在110℃，压力300kpa。

8.根据权利要求6所述的改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的回收方法，其特征在于：采用导热油加热，温度控制在140℃，压力400kpa。

9.根据权利要求1所述的改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的回收方法，其特征在于：步骤4)所述湿气为氢气、二氧化碳、氮气、惰性气体中的一种与水蒸汽的混合气体，其湿度为8％～90％RH。

10.根据权利要求1所述的改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的回收方法，其特征在于：步骤5)带有高沸物的气体进入分离器中被四氯化硅洗涤分离，分离器流出的含杂质的四氯化硅洗涤液收集于鼓泡釜中，然后送入精馏塔提纯，精馏塔釜得到含硅尘颗粒和金属氯化物等杂质液体作为步骤1)的原料进行回收。