[发明专利]化学气相沉积装置有效
| 申请号: | 201110234249.5 | 申请日: | 2011-08-12 |
| 公开(公告)号: | CN102373440A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
| 发明(设计)人: | 许闰成;朴胜一 | 申请(专利权)人: | SNT能源技术有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 本发明公开了一种化学气相沉积装置。该化学气相沉积装置包括:处理室,被配置为用来界定反应空间;背板,放置于所述反应空间上方,并且在该背板的中部具有气体入口;气体扩散构件,设置在该气体入口的下方并且与该气体入口分离,该气体扩散构件被配置为用来扩散通过该气体入口提供的工艺气体,并且该气体扩散元件通过第一耦合构件与该背板耦合;喷头,放置于所述背板和气体扩散构件的下方并且与所述背板和气体扩散构件分离,在该喷头中通过打孔形成有多个喷孔,该喷头的中部通过第二耦合构件与该气体扩散构件耦合;以及基座,设置在该喷头的下方并且与该喷头分离,该基座用于支撑衬底。 | ||
| 搜索关键词: | 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种化学气相沉积装置,包括:处理室,被配置为用来界定反应空间;背板,放置于所述反应空间上方,并且在该背板的中部具有气体入口;气体扩散构件,设置在该气体入口的下方并且与该气体入口分离,该气体扩散构件被配置为用来扩散通过该气体入口提供的工艺气体,并且该气体扩散元件通过第一耦合构件与该背板耦合;喷头,放置于所述背板和气体扩散构件的下方并且与所述背板和气体扩散构件分离,在该喷头中通过打孔形成有多个喷孔,该喷头的中部通过第二耦合构件与该气体扩散构件耦合;以及基座,设置在该喷头的下方并且与该喷头分离,该基座用于支撑衬底。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





