[发明专利]单晶硅太阳电池的边沿钝化方法、单晶硅太阳电池及其制备方法和光伏组件

摘要

本发明提供一种单晶硅太阳电池的边沿钝化方法、单晶硅太阳电池及其制备方法和光伏组件。上述边沿钝化方法包括：在刻蚀后的单晶硅太阳能电池的边沿表面涂覆钝化微粉组合物，所述钝化微粉组合物包括：2wt％～30wt％的PbO、5wt％～40wt％的B2O3和40wt％～70wt％的SiO2；将涂覆过钝化微粉组合物的单晶硅太阳电池进行高温烧结。按照上述方法处理后的单晶硅太阳电池表面会覆有一层由钝化微粉形成的钝化膜，钝化膜致密的网状结构能够将PN结与外界环境相隔离，避免Na、Fe、Cu等金属离子扩散到硅片内破坏PN结，降低太阳电池输出功率虽时间的衰减率，延长太阳电池的使用寿命。

主权项

一种单晶硅太阳电池的边沿钝化方法，包括：a)、在刻蚀后的单晶硅太阳能电池的边沿表面涂覆钝化微粉组合物，所述钝化微粉组合物包括：2wt％～30wt％的PbO、5wt％～40wt％的B2O3和40wt％～70wt％的SiO2；b)、将涂覆过钝化微粉组合物的单晶硅太阳电池进行高温烧结。