[发明专利]单晶硅太阳电池的边沿钝化方法、单晶硅太阳电池及其制备方法和光伏组件

权利要求书

1.一种单晶硅太阳电池的边沿钝化方法，包括：

a)、在刻蚀后的单晶硅太阳能电池的边沿表面涂覆钝化微粉组合物，所述钝化微粉组合物包括：2wt％～30wt％的PbO、5wt％～40wt％的B₂O₃和40wt％～70wt％的SiO₂；

b)、将涂覆过钝化微粉组合物的单晶硅太阳电池进行高温烧结。

2.根据权利要求1所述的边沿钝化方法，其特征在于，所述高温烧结具体为将涂覆过钝化微粉组合物的单晶硅太阳电池依次进行如下工序：

b1)、加热至450℃～630℃，保温2min～10min；

b2)、加热至680℃～830℃，保温20min～40min；

b3)、降温至550℃～750℃，保温10min～40min；

b4)、降至室温。

3.根据权利要求2所述的边沿钝化方法，其特征在于，所述步骤b1)中加热速率为45℃/min～125℃/min。

4.根据权利要求2所述的边沿钝化方法，其特征在于，所述步骤b2)中加热的速率为30℃/min～80℃/min。

5.根据权利要求2所述的边沿钝化方法，其特征在于，所述步骤b3)中降温的速率为10℃/min～25℃/min。

6.根据权利要求1所述的边沿钝化方法，其特征在于，所述钝化微粉的粒径小于10μm。。

7.一种单晶硅太阳电池的制备方法，包括：将硅片依次进行清洗、制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷、烧结，其特征在于，在所述刻蚀和烧结工序之间还包括：权利要求1所述的边沿钝化工序。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述边沿钝化工序位于所述印刷和烧结工序之间。

9.一种单晶硅太阳电池，其特征在于，其边沿表面覆有钝化膜，所述钝化膜包括：2wt％～30wt％的PbO、5wt％～40wt％的B₂O₃和40wt％～70wt％的SiO₂。

10.一种光伏组件，其特征在于，包括基板和密封于所述基板侧边的密封部；所述基板包括依次设置的：面板、面胶膜、电池片、背胶膜和背板；其特征在于，所述电池片由权利要求9所述的单晶硅太阳电池组合构成。