[发明专利]同时制备垂直导通孔和第一层再布线层的方法无效
| 申请号： | 201110233186.1 | 申请日： | 2011-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102386129A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 宋崇申 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种同时制备垂直导通孔和第一层再布线层的方法，包括：在半导体衬底表面制作介质层；对所述介质层进行图形化刻蚀；对所述图形化刻蚀掉所述介质层而没有所述介质层覆盖区域的半导体衬底进行图形化刻蚀，以在所述半导体衬底上的形成孔或槽结构；在所述半导体衬底表面沉积绝缘层；实施导电材料填充工艺，使导电材料填充所述半导体衬底上的孔或槽结构；对所述半导体衬底进行平坦化处理，同时获得垂直导通孔和第一层再布线层。使用本发明提供的方法能够缩减工艺步骤、降低工艺成本，并提供工艺优化的更多自由度，保证最终产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 同时 制备 垂直 导通孔 一层 布线 方法 | ||
【主权项】：
一种同时制备垂直导通孔和第一层再布线层的方法，包括：在半导体衬底表面制作介质层；对所述介质层进行图形化刻蚀；对已经被所述图形化刻蚀掉所述介质层的半导体衬底的区域进行图形化刻蚀，以在所述半导体衬底上的形成孔或槽结构；在所述半导体衬底表面沉积绝缘层；实施导电材料填充工艺，使导电材料填充所述半导体衬底上的孔或槽结构；对所述半导体衬底进行平坦化处理，同时获得垂直导通孔和第一层再布线层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
