[发明专利]同时制备垂直导通孔和第一层再布线层的方法

权利要求书

1.一种同时制备垂直导通孔和第一层再布线层的方法，包括：

在半导体衬底表面制作介质层；

对所述介质层进行图形化刻蚀；

对已经被所述图形化刻蚀掉所述介质层的半导体衬底的区域进行图形化刻蚀，以在所述半导体衬底上的形成孔或槽结构；

在所述半导体衬底表面沉积绝缘层；

实施导电材料填充工艺，使导电材料填充所述半导体衬底上的孔或槽结构；

对所述半导体衬底进行平坦化处理，同时获得垂直导通孔和第一层再布线层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述半导体衬底材料为硅、锗、锗硅或砷化镓。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述介质层为氧化硅、氮化硅、硼硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、有机聚合物中的一种或多种组合。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述制作介质层的方法为热氧化、化学汽相沉积、旋涂烘烤中的一种或多种组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述在半导体衬底表面沉积的绝缘层为氧化硅、氮化硅、有机聚合物中的一种或多种组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述在半导体衬底表面沉积绝缘层的方法为化学汽相沉积。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述实施导电填充工艺时所用的导电材料为金属铜。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述实施导电填充工艺时所用的方式为电镀。

9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，在所述实施导电材料填充工艺之前还包括：

在所述绝缘层表面制作扩散阻挡层以及电镀种子层。