[发明专利]腔体的制造方法无效
| 申请号： | 201110231784.5 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102328900A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张挺;郑晨焱;夏佳杰;谢志峰;邵凯 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种腔体的制造方法，包括步骤：提供硅基底，在硅基底上形成基底保护层；刻蚀基底保护层，形成多个窗口，直至露出下方的硅基底；以基底保护层为掩模，刻蚀硅基底，在硅基底中形成多个凹槽；在多个凹槽的侧壁形成侧壁保护层；以基底保护层和侧壁保护层为掩模，继续刻蚀凹槽，在硅基底中形成多个深槽；采用湿法腐蚀法腐蚀多个深槽，在硅基底内部形成腔体。本发明的制造方法属于正面加工工艺，不采用价格昂贵的背面工艺，其与传统的CMOS制造工艺完全兼容。本发明采用的工艺温度低于400度，并且形成腔体后基底的总厚度也大大减薄了。另外，本发明对工艺要求比较灵活，整个加工工艺稳定可靠，精度很高，并且成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种腔体的制造方法，包括步骤：提供硅基底，在所述硅基底上形成基底保护层；刻蚀所述基底保护层，形成多个窗口，直至露出下方的硅基底；以所述基底保护层为掩模，刻蚀所述硅基底，在所述硅基底中形成多个凹槽；在多个所述凹槽的侧壁形成侧壁保护层；以所述基底保护层和所述侧壁保护层为掩模，继续刻蚀所述凹槽，在所述硅基底中形成多个深槽；采用湿法腐蚀法腐蚀多个所述深槽，在所述硅基底内部形成腔体。
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