[发明专利]腔体的制造方法

权利要求书

1.一种腔体的制造方法，包括步骤：

提供硅基底，在所述硅基底上形成基底保护层；

刻蚀所述基底保护层，形成多个窗口，直至露出下方的硅基底；

以所述基底保护层为掩模，刻蚀所述硅基底，在所述硅基底中形成多个凹槽；

在多个所述凹槽的侧壁形成侧壁保护层；

以所述基底保护层和所述侧壁保护层为掩模，继续刻蚀所述凹槽，在所述硅基底中形成多个深槽；

采用湿法腐蚀法腐蚀多个所述深槽，在所述硅基底内部形成腔体。

2.根据权利要求1所述的腔体的制造方法，其特征在于，在所述硅基底内部形成腔体之后还包括步骤：

在多个所述凹槽的所述侧壁保护层之间填满填充材料，对所述腔体进行封口；

其中，所述填充材料覆盖到所述基底保护层。

3.根据权利要求2所述的腔体的制造方法，其特征在于，对所述腔体进行封口之后还包括步骤：

在覆盖所述基底保护层的所述填充材料上淀积或者旋涂一加固层。

4.根据权利要求3所述的腔体的制造方法，其特征在于，在所述填充材料上形成加固层之后还包括步骤：

采用化学机械抛光法依次去除所述加固层和其下的所述填充材料。

5.根据权利要求4所述的腔体的制造方法，其特征在于，去除所述加固层和其下的所述填充材料之后还包括步骤：

继续采用化学机械抛光法去除所述基底保护层，直至露出所述硅基底。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的腔体的制造方法，其特征在于，在多个所述凹槽的侧壁形成所述侧壁保护层包括步骤：

在多个所述凹槽的侧壁与底部通过热反应形成隔离层；

去除多个所述凹槽底部的隔离层，在多个所述凹槽的侧壁由保留的所述隔离层形成所述侧壁保护层。

7.根据权利要求6所述的腔体的制造方法，其特征在于，所述热反应形成隔离层的工艺包括湿氧氧化、干氧氧化、氮气反应工艺。

8.根据权利要求7所述的腔体的制造方法，其特征在于，多个所述凹槽的底部的隔离层是通过回刻工艺去除的。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的腔体的制造方法，其特征在于，在多个所述凹槽的侧壁形成所述侧壁保护层包括步骤：

采用离子注入法在多个所述凹槽的底部形成掺杂层；

在多个所述凹槽的侧壁通过热反应形成所述侧壁保护层。

10.根据权利要求9所述的腔体的制造方法，其特征在于，所述热反应形成所述侧壁保护层的工艺包括湿氧氧化、干氧氧化、氮气反应工艺。

11.根据权利要求1所述的腔体的制造方法，其特征在于，所述硅基底为(111)晶向的。

12.根据权利要求11所述的腔体的制造方法，其特征在于，所述基底保护层是通过热反应的方式形成的。

13.根据权利要求12所述的腔体的制造方法，其特征在于，所述基底保护层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者多晶硅。

14.根据权利要求13所述的腔体的制造方法，其特征在于，所述基底保护层还包括金属单质、合金、金属氧化物或者金属氮化物。

15.根据权利要求14所述的腔体的制造方法，其特征在于，多个所述窗口的形状、尺寸和/或排布是可调的。

16.根据权利要求15所述的腔体的制造方法，其特征在于，多个所述凹槽的形状、尺寸、排布和/或深度与多个所述窗口的形状、尺寸和/或排布具有关联性。

17.根据权利要求16所述的腔体的制造方法，其特征在于，多个所述深槽的形状、尺寸、排布和/或深度与多个所述窗口的形状、尺寸和/或排布具有关联性。

18.根据权利要求17所述的腔体的制造方法，其特征在于，所述湿法腐蚀法采用各向异性的腐蚀工艺，在所述硅基底内部形成所述腔体。

19.根据权利要求18所述的腔体的制造方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的溶液为KOH、TMAH、HNA、EDP和/或碱金属氢氧化物溶液。

20.根据权利要求19所述的腔体的制造方法，其特征在于，所述腔体的形状和/或深度是任意的。

21.根据权利要求20所述的腔体的制造方法，其特征在于，对所述腔体进行封口的工艺为淀积法、键合法或者电镀法。