[发明专利]一种存储器件及其的形成方法有效
| 申请号： | 201110231646.7 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102931205A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 吴关平;曾贤成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器件，包括：晶体管区，所述晶体管区内形成有至少一层的晶体管；互连结构区，包括至少一层的相互连的金属层，所述互连结构区位于晶体管区的上方，且与所述晶体管区电连接；位于所述互连结构区与晶体管区之间，还形成有磁性隧道结区。本发明还提供一种存储器件的形成方法。通过将原位于互连结构区内的磁性隧道结放置于晶体管区和互连结构区之间的区域，使得所述磁性隧道结不受制所述互连结构区内的金属层的尺寸限制，可以减小磁性隧道结的尺寸，以提高存储器件内的磁性隧道结的数目密度，提高存储器件的存储容量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器件，其特征在于，包括：晶体管区，所述晶体管区内形成有至少一层的晶体管；互连结构区，所述互连结构区位于晶体管区的上方，且与所述晶体管区电连接；位于所述互连结构区与晶体管区之间，还形成有磁性隧道结区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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