[发明专利]一种存储器件及其的形成方法

权利要求书

1.一种存储器件，其特征在于，包括：

晶体管区，所述晶体管区内形成有至少一层的晶体管；

互连结构区，所述互连结构区位于晶体管区的上方，且与所述晶体管区电连接；

位于所述互连结构区与晶体管区之间，还形成有磁性隧道结区。

2.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述磁性隧道结区内的磁性隧道结一端与所述晶体管区电连接，一端与所述互连结构区电连接。

3.如权利要求2所述的存储器件，其特征在于，所述磁性隧道结区通过底层连接结构与所述晶体管区电连接，所述底层连接结构包括介质层及位于所述介质层内的金属通孔。

4.如权利要求3所述的存储器件，其特征在于，所述介质层近磁性隧道结区的表面与所述金属通孔近磁性隧道结区的表面高度齐平。

5.如权利要求3所述的存储器件，其特征在于，所述金属通孔内形成有至少一层的金属层，其中，近磁性隧道结区的金属层的莫氏硬度系数小于钨的莫氏硬度系数。

6.如权利要求5所述的存储器件，其特征在于，所述近磁性隧道结区的金属层的莫氏硬度系数小于7.0。

7.如权利要求3所述的存储器件，其特征在于，所述金属通孔内形成有至少一层金属层，其中，近磁性隧道结区的金属层为氮化钛、钛或者铜之一或组合。

8.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述磁性隧道结区包括至少一层的磁性隧道结，所述磁性隧道结包括被钉扎层及自由磁性层，及位于所述被钉扎层与自由磁性层之间的隧穿阻挡层。

9.一种存储器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供形成有晶体管区的基底；

形成位于基底上方的互连结构区，与所述晶体管区电连接；

在形成所述互连结构区前，还包括形成磁性隧道结区，所述磁性隧道结区与晶体管区电连接。

10.如权利要求9所述的存储器件的形成方法，其特征在于，包括：在所述基底表面形成底层连接结构；接着在所述底层连接结构表面形成磁性隧道结区，所述磁性隧道结区通过底层连接结构与所述晶体管区连接。

11.如权利要求10所述的存储器件的形成方法，其特征在于，包括：所述形成底层连接结构包括：在所述基底表面形成介质材料，并对所述介质材料进行刻蚀形成通孔和位于相邻通孔的介质层；对所述通孔进行金属填充，形成金属通孔，所述金属通孔与介质层构成底层连接结构，其中，所述介质层表面与所述金属通孔表面高度齐平。

12.如权利要求11所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述对所述通孔进行金属填充后，还包括进行化学机械研磨至所述介质层表面与所述金属通孔表面高度齐平。

13.如权利要求11所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述金属通孔内形成有至少一层的金属层，其中，近磁性隧道结区的金属层的莫氏硬度系数小于钨的莫氏硬度系数。

14.如权利要求13所述的存储器件的形成方法，其特征在于，包括：所述近磁性隧道结区的金属层的硬度系数小于7.0。

15.如权利要求11所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述金属填充包括：首先对所述通孔进行第一金属填充，接着对第一金属进行回刻蚀，使得所述第一金属的填充高度小于所述通孔高度；然后对所述通孔再次进行填充第二金属至所述介质层表面与所述金属通孔表面高度齐平。

16.如权利要求15所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述对所述通孔再次进行填充包括：首先对所述通孔填充第二金属，且填充高度的表面高于所述介质层的表面；采用化学机械研磨所述第二金属，直至所述介质层表面与所述金属通孔表面高度齐平。

17.如权利要求15或16所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述第一金属为钨，所述第二金属为氮化钛、钛、铜之一或组合。

18.如权利要求11所述的存储器件的形成方法，其特征在于，包括：所述通孔顶部开口大于底部开口。