[发明专利]基于高电子能量的覆盖误差测量方法和系统有效
| 申请号： | 201110229082.3 | 申请日： | 2011-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102789997B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | L·摩西;A·欧弗;P·拉姆;U·尤拉姆;S·欧瑞 | 申请（专利权）人： | 应用材料以色列公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N23/203;G01N23/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 以色列瑞*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于高电子能量的覆盖误差测量方法、系统和计算机可读取介质。所述方法可以包括：获得或接收第一区域信息，所述第一区域信息表示检查物的第一层的第一区域；其中所述检查物进一步包含第二层，所述第二层包含第二区域；其中所述第二层是埋在所述第一层下面的；引导原始电子束的电子与所述第一区域相互作用；引导所述原始电子束的电子与所述第二区域相互作用；响应于从所述第一区域和所述第二区域中的至少一个区域散射或反射的电子，产生检测信号；以及基于所述检测信号和所述第一区域信息，来决定所述第一区域的至少一个特征与所述第二区域的至少一个特征之间的至少一个空间关系。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电子 能量 覆盖 误差 测量方法 系统 | ||
【主权项】：
一种用于评估覆盖的方法，包含：获得或接收第一区域信息，所述第一区域信息表示检查物的第一层的第一区域；其中所述检查物进一步包含第二层，所述第二层包含第二区域；其中所述第二层是埋在所述第一层下面的；引导原始电子束的电子与所述第一区域相互作用；引导所述原始电子束的电子与所述第二区域相互作用；响应于从所述第一区域和所述第二区域中的至少一个区域散射或反射的电子，产生检测信号；检测所述第一区域的至少一个特征的边缘和所述第二区域的至少一个特征的边缘；以及基于所述检测信号、所检测到的所述边缘和所述第一区域信息，来决定所述第一区域的所述至少一个特征与所述第二区域的所述至少一个特征之间的至少一个空间关系。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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