[发明专利]具有双面场板的晶体管元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110228914.X | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102856361A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 郭威宏;林素芳;宣融 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有双面场板的晶体管元件及其制造方法，该晶体管元件包括外延堆叠层、源极、漏极、栅极、第一场板以及第二场板。外延堆叠层具有第一表面与第二表面。源极、漏极与栅极位于外延堆叠层上，且栅极位于源极与漏极之间。第一场板位于外延堆叠层的第一表面的一侧，电性连接源极，且覆盖于栅极上方并延伸至栅极与漏极之间。第二场板位于外延堆叠层的第二表面的一侧，电性上述连接源极，且至少延伸覆盖栅极与漏极之间的外延堆叠层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双面 晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有双面场板的晶体管元件，包括：外延堆叠层，包括第一表面、第二表面；源极、漏极以及栅极，位于该第一表面上，其中该栅极位于该源极与该漏极之间；第一场板，位于该第一表面的一侧，与该源极、该漏极以及该栅极不同平面，该第一场板电性连接该源极，覆盖该栅极并延伸至该栅极与该漏极之间；以及第二场板，位于该第二表面的一侧，电性连接该源极。
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