[发明专利]具有双面场板的晶体管元件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有双面场板的晶体管元件，包括：

外延堆叠层，包括第一表面、第二表面；

源极、漏极以及栅极，位于该第一表面上，其中该栅极位于该源极与该漏极之间；

第一场板，位于该第一表面的一侧，与该源极、该漏极以及该栅极不同平面，该第一场板电性连接该源极，覆盖该栅极并延伸至该栅极与该漏极之间；以及

第二场板，位于该第二表面的一侧，电性连接该源极。

2.如权利要求1所述的具有双面场板的晶体管元件，其中该第一场板与该第二场板间，包括该源极与该栅极。

3.如权利要求1所述的具有双面场板的晶体管元件，其中该外延堆叠层包括第一内连线结构，该第二场板透过该第一内连线结构电性连接该源极。

4.如权利要求1所述的具有双面场板的晶体管元件，还包括：

第二内连线结构，位于该外延堆叠层中；以及

第三场板，位于该第二表面的一侧，该第三场板透过该第二内连线结构电性连接该漏极；

其中该第三场板与该第一场板之间，包括该栅极与该漏极间的该多个外延堆叠层。

5.如权利要求1所述的具有双面场板的晶体管元件，其中当该晶体管元件运作时，该外延堆叠层中产生二维电子气沟道。

6.如权利要求1所述的具有双面场板的晶体管元件，该外延堆叠层包括：

p型的GaN层；

未掺杂的GaN层，位于该p型的GaN层上；以及

未掺杂的AlGaN层，位于该未掺杂的GaN层上。

7.如权利要求1所述的具有双面场板的晶体管元件，还包括第一保护层位于该栅极与该第一场板之间。

8.如权利要求1所述的具有双面场板的晶体管元件，还包括第二保护层位于该第二表面与该第二场板之间。

9.如权利要求8所述的具有双面场板的晶体管元件，还包括第三保护层，位于该第一内连线结构的侧壁且连接至该第二保护层。

10.如权利要求1所述的具有双面场板的晶体管元件，其中该第一表面还包括第一凹槽，且该栅极覆盖该第一凹槽。

11.如权利要求10所述的具有双面场板的晶体管元件，还包括第四保护层位于该栅极与该第一凹槽之间。

12.如权利要求1所述的具有双面场板的晶体管元件，其中该第一表面还包括第二凹槽，该栅极覆盖该第二凹槽，且该栅极的一部分位于该第二凹槽中。

13.如权利要求12所述的具有双面场板的晶体管元件，还包括第五保护层位于该栅极与该第二凹槽之间。

14.如权利要求1所述的具有双面场板的晶体管元件，还包括绝缘散热层，覆盖于该第一场板上。

15.一种具有双面场板的晶体管元件，包括：

外延堆叠层，包括第一表面、第二表面；

源极、漏极以及栅极，位于该第一表面上，其中该栅极位于该源极与该漏极之间；

第一场板，位于该第一表面的一侧，与该源极、该漏极以及该栅极不同平面，电性连接该源极，覆盖该栅极并延伸至该栅极与该漏极之间；以及

第四场板，位于该第二表面的一侧，电性连接该漏极；

其中该外延堆叠层还包括第二内连线结构，该第四场板透过该第二内连线结构电性连接该漏极。

16.如权利要求15所述的具有双面场板的晶体管元件，其中该第一场板与该第四场板间包括该栅极。

17.如权利要求15所述的具有双面场板的晶体管元件，其中当该晶体管元件运作时，该外延堆叠层中产生二维电子气沟道。

18.如权利要求15所述的具有双面场板的晶体管元件，该外延堆叠层包括：

p型的GaN层；

未掺杂的GaN层，位于该p型的GaN层上；以及

未掺杂的AlGaN层，位于该未掺杂的GaN层上。

19.如权利要求15所述的具有双面场板的晶体管元件，还包括第一保护层位于该栅极与该第一场板之间。

20.如权利要求15所述的具有双面场板的晶体管元件，还包括第二保护层位于该第二表面与该第四场板之间。