[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110228472.9 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102931087A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 李付军 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极；在所述栅极两侧的基底上形成补偿侧墙；在所述补偿侧墙两侧的基底内形成浅阱区。本发明所提供的半导体器件制造方法，在所述基底内形成浅阱区之前，首先在所述栅极两侧的基底上形成了补偿侧墙，该补偿侧墙的存在使得所述浅阱区与栅极之间存在一定距离，进而在后续退火工艺步骤后，所述浅阱区向栅极方向扩散并与栅极形成交叠区域的长度将有所变短，从而可增长沟道长度，避免短沟道效应的发生。且本发明所提供的半导体器件制造方法，通过控制所述补偿侧墙的宽度，可控制所述浅阱区与栅极所形成的交叠区域的长度，进而达到控制沟道长度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成栅极；在所述栅极两侧的基底上形成补偿侧墙；在所述补偿侧墙两侧的基底内形成浅阱区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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